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# 超导量子原理

这一部分重点参考 *A quantum engineer's guide to superconducting qubits* 这篇文献。核心思路很明确：**要从零理解超导量子比特，就先从最基础的经典 LC 谐振电路入手，一步步改造成现在常用的 transmon 量子比特。**

## 从经典电路到超导量子比特

要做量子比特，首先得有一个能稳定存储量子态的电路。本节从 "经典 LC 电路 → 量子谐振子（QHO）→ 加约瑟夫森结 → transmon" 这条主线，逐步讲一讲超导量子比特是怎么来的。

### 从 LC 电路到量子谐振子

**怎么把量子比特电路化？** 用经典 LC 电路模拟。

![image-20260821160806349](./2.超导量子原理.assets/image-20260821160806349.png)

**1. 经典 LC 振荡与量子化（QHO）**

经典并联 LC 电路中，能量在电容的电场（电荷 $Q$）与电感的磁场（磁通 $\Phi$）之间周期性转换。当电路在极低温下满足无耗散条件并进行量子化后，它便成为 **量子谐振子（QHO）**。

- **分立能级：** 量子化后能量不再连续，而是形成分立能级 $\vert{}0\rangle, \vert{}1\rangle, \vert{}2\rangle \dots$
- **能级等间距：** 相邻能级差完全相同，即 $\Delta E = \hbar\omega_r$（其中 $\omega_r = 1/\sqrt{LC}$）。

**2. 瓶颈：能级等间距导致的能级泄漏**

虽然 QHO 具有量子特性，但无法直接用作量子比特：

- 量子计算需要将操作精准隔离在基态 $\vert{}0\rangle$ 和第一激发态 $\vert{}1\rangle$ 构成的双能级子空间内。
- 由于所有相邻能级差相等（$\hbar\omega_{01} = \hbar\omega_{12} = \dots$），当施加频率为 $\omega_{01}$ 的微波脉冲试图驱动 $\vert{}0\rangle \to \vert{}1\rangle$ 跃迁时，会不可避免地同时诱发 $\vert{}1\rangle \to \vert{}2\rangle$ 及更高阶激发（发生能级泄漏），无法实现对双能级系统的独立精准操控。

**3. 解决：引入非线性元件约瑟夫森结**

为了打破能级的等间距特性，需将线性电感 $L$ 替换为 **非线性、无耗散的约瑟夫森结（$L_J$）**，构建如 **Transmon** 这样的超导量子比特：

- **势阱变形：** 约瑟夫森结将原先的抛物线二次势能改造成余弦（Cosine）非谐振势能。
- **非谐性（Anharmonicity）：** 能级间距被“拉开”，产生频率差异（$\hbar\omega_{01} \neq \hbar\omega_{12}$）。此时即可用特定频率 $\omega_{01}$ 准确且单独操控 $\{\vert{}0\rangle, \vert{}1\rangle\}$ 计算空间。

### 约瑟夫森结

为将电路能级严格限制在 $\vert{}0\rangle$ 和 $\vert{}1\rangle$ 的二能级子空间内，必须引入非线性元件——**约瑟夫森结（Josephson Junction）**。该器件采用超导体-绝缘体-超导体（SIS）三明治结构。当用它替代 LC 电路中的线性电感时（入图 1c），系统的势能面由简谐抛物线变为余弦势，从而打破了等间距能级分布，产生显著的 **非简谐性（Anharmonicity）**（图 1d）。这使得 $\vert{}0\rangle \to \vert{}1\rangle$ 与 $\vert{}1\rangle \to \vert{}2\rangle$ 的跃迁频率彼此区分，避免了高能态的泄漏。至此，宏观电路便具备了类似天然原子的分立能级结构，构成了可独立寻址调控的人造原子——超导量子比特。

> 引用自文章A quantum engineer's guide to superconducting qubits

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251004_173500.png" alt="局部截取_20251004_173500" />

约瑟夫森结的非线性让电路的势能从抛物线变成正弦曲线，产生能级差距，进而使 "0→1" 和 "1→2" 跃迁可区分。下面进行数学推导。

**约瑟夫森结的结构**：蓝色的线表示库珀对波函数（也叫超导序参量），可以发现它在势垒层有交叠然后衰减。库珀对波函数的相位至关重要，影响着电压电流特性。（常见为 $\text{Al}/\text{AlO}_x/\text{Al}$ 结构）

<img src="./2.超导量子原理.assets/image-20260629195502141.png" alt="image-20260629195502141" style="zoom: 33%;" />

**约瑟夫森结：非线性势能与等效电感推导**

约瑟夫森结的核心物理量是绝缘势垒两端库珀对波函数（超导序参量）的 **超导相位差 $\varphi$**。电路的电磁学行为完全由相位差 $\varphi$ 的演化决定。

**1. 基础关系（约瑟夫森直流与交流方程）**

超导电流与端电压分别满足：

$$I = I_c \sin\varphi \quad \text{（电流-相位关系）}$$

$$V = \frac{\hbar}{2e} \frac{d\varphi}{dt} \quad \text{（电压-相位关系）}$$

其中 $I_c$ 为临界电流，$2e$ 为单个库珀对的电荷量。

**2. 势能推导：从二次抛物势到余弦势**

计算超导结吸收的瞬时功率 $P = I V$，并对时间积分即可得到势能 $U_J$：

$$U_J = \int I V \, dt = \int \left( I_c \sin\varphi \right) \left( \frac{\hbar}{2e} \frac{d\varphi}{dt} \right) dt = \frac{\hbar I_c}{2e} \int_0^\varphi \sin\varphi' \, d\varphi'$$

积分得到约瑟夫森势能：

$$U_J(\varphi) = E_J (1 - \cos\varphi)$$

其中定义 **约瑟夫森能** 为：

$$E_J = \frac{\hbar I_c}{2e}$$

- 普通 LC 谐振器的势能为抛物线型（$\propto \varphi^2$），导致能级严格等距；
- 约瑟夫森结的势能为余弦型（$-\cos\varphi$），这种 **非线性势阱** 压低了高能级，使 $\omega_{01} \neq \omega_{12}$，成功实现二能级可区分。

**3. 非线性电感与等效响应**

根据电感定义 $V = L \frac{dI}{dt}$，结合链式法则 $\frac{dI}{dt} = \frac{dI}{d\varphi}\frac{d\varphi}{dt}$：

$$L(\varphi) = \frac{V}{dI/dt} = \frac{\frac{\hbar}{2e} \frac{d\varphi}{dt}}{I_c \cos\varphi \frac{d\varphi}{dt}} = \frac{\hbar}{2e I_c \cos\varphi}$$

令零相位处的值为 **结特征电感（线性电感）** $L_J = \frac{\hbar}{2e I_c}$，则：

$$L(\varphi) = \frac{L_J}{\cos\varphi}$$

电感值随相位 $\varphi$ 动态变化，体现了非线性本质；当 $\cos\varphi < 0$ 时，微分电感呈现负值，对外表现为容性阻抗。

**4. 结电容的充放电能（静电能）**

约瑟夫森结本身存在极板电容 $C_J$（或并联大电容 $C$）。设极板聚集了 $n$ 对库珀对，总转移电荷量 $Q = 2e \cdot n$，其静电储能为：

$$E = \frac{Q^2}{2C} = \frac{(2e \cdot n)^2}{2C} = \left(\frac{e^2}{2C}\right) (2n)^2 = 4 E_c n^2$$

其中 $E_c = \frac{e^2}{2C}$ 定义为 **单电子充电能**。

通过将电容动能项（$\sim n^2$）与非线性势能项（$-E_J \cos\varphi$）结合，即可写出超导量子比特的标准量子哈密顿量：

$$\hat{H} = 4 E_c \hat{n}^2 - E_J \cos\hat{\varphi}$$

### transmon

早期超导量子比特（如 Cooper-pair box）对环境中的电荷噪声极度敏感，背景电荷的微小波动会导致比特能级剧烈晃动，破坏量子叠加态，使相干时间短到难以实用。为解决这一痛点，物理学家在约瑟夫森结两端 **并联了一个大电容 $C_s$**（远大于结自身电容 $C_J$），大幅降低了电路的单电子充电能 $E_C$。在满足 $E_J \gg E_C$（通常 $E_J/E_C \sim 50$–$100$）的深度非谐振区下，**电荷噪声对能级跃迁频率的调制被呈指数级抑制**，相干时间提升了数个数量级。这种经过电容分流改良的超导量子比特，被称为 **Transmon**（Transmission line shunted plasma oscillation qubit）。

**Transmon 的三大核心优势**

- **抗干扰能力极强（长相干时间）：** 通过指数级压制电荷噪声，相干时间跃升至百微秒（$>100\ \mu\text{s}$）甚至更高量级，为底层控制电子学（如 FPGA）执行数百次门操作提供了充裕的相干时间窗口。
- **非谐性恰到好处（抑制能级泄漏）：** 尽管大电容略微弱化了非谐性（典型值在 $-100$ 至 $-300\text{ MHz}$ 之间），但该能级差已足够让微波驱动精准锁定在 $\{\vert{}0\rangle, \vert{}1\rangle\}$ 计算空间，有效避免 $\vert{}1\rangle \to \vert{}2\rangle$ 泄漏。
- **控制频段成熟兼容：** 工作跃迁频率稳定在 **3–6 GHz**，完全落在标准射频/微波通信频段内，可直接复用成熟的经典射频元器件与微波测控技术，大幅降低了硬件工程化门槛。

### 电路如何表示量子

#### 哈密顿量是什么？

哈密顿量（Hamiltonian，用 $\hat{H}$ 表示）用一句话解释：它就是量子力学里描述系统“总能量”的终极数学公式。经典力学里：总能量 = 动能 + 势能。 量子力学里：**哈密顿量 = 系统的总能量算符**。重要性体现在诸多方面。

**算出量子比特长什么样（求出能级）**：把电路的哈密顿量带入薛定谔方程 $\hat{H}\psi = E\psi$，解出来的能量本征值 $E_0, E_1, E_2\dots$ 就是电路允许存在的台阶能级。能级差就是比特的工作频率（比如 $\omega_{01} = (E_1 - E_0)/\hbar \approx 5\text{ GHz}$）。没有哈密顿量，芯片连用什么频率的微波去操控都不知道。

**指导量子门操作（控制计算）**：薛定谔方程的核心是 $i\hbar \frac{\partial \psi}{\partial t} = \hat{H}\psi$，它说明 **哈密顿量直接决定了量子态随时间如何演化**。科学家打入一束微波脉冲，本质上就是在哈密顿量里加了一个“外加驱动项 $\hat{H}_{drive}(t)$”。通过精准控制哈密顿量变化多长时间，就能精确让比特完成“翻转”（X 门）或“叠加”（Hadamard 门）。

**设计两比特纠缠（芯片电路连接）**：把两个量子比特用电容或电感连起来时，两者的相互作用会体现为哈密顿量中的 **耦合项**（如 $g(\hat{a}^\dagger \hat{b} + \hat{a}\hat{b}^\dagger)$）。只有通过哈密顿量，工程师才能精确计算出需要多强的耦合力才能在几十纳秒内做完一个纠缠门（如 CZ 门）。



#### 为什么宏观 LC 电路能拥有量子哈密顿量？

在超导量子计算中，LC 谐振腔（微波谐振器）常被当作“人造宏观原子”来研究。经典电路之所以能被量子化，本质是通过分析力学（拉格朗日与哈密顿力学）建立起经典电路变量与微观量子算符之间的 **数学映射**。

**1. 建立对应关系：把电路变量映射为坐标与动量**

在分析力学中，描述一个物理系统需要一组“广义坐标”和对应的“共轭动量”：

- **广义坐标 $x$ $\to$ 磁通量 $\Phi$（或超导相位 $\varphi$）：** 电感储能只依赖磁通量，对应系统的势能项 $V = \frac{\Phi^2}{2L}$。
- **共轭动量 $p$ $\to$ 电荷量 $Q$（或库珀对数 $n$）：** 电容储能依赖电荷累积，对应系统的动能项 $T = \frac{Q^2}{2C}$。

通过拉格朗日量 $\mathcal{L} = T - V$ 进行勒让德变换，即可得到经典的哈密顿量：

$$H = \frac{Q^2}{2C} + \frac{\Phi^2}{2L} = 4E_C n^2 + \frac{1}{2}E_L \varphi^2$$

其中 $E_C = \frac{e^2}{2C}$ 为单电子充电能，$E_L = \left(\frac{\Phi_0}{2\pi}\right)^2 \frac{1}{L}$ 为电感能。

**2. 正则量子化：从经典能量到量子算符**

当把宏观电路放入极低温环境（毫开尔文温区）以压制热噪声后，将经典物理量提升为量子算符（“加上帽子”），它们天然满足海森堡不确定性原理下的对易关系：

$$[\hat{\varphi}, \hat{n}] = i$$

此时，电路的哈密顿算符变为：

$$\hat{H} = 4E_C \hat{n}^2 + \frac{1}{2}E_L \hat{\varphi}^2$$

这与物理学中标准的一维量子谐振子（QHO）哈密顿量 $\hat{H} = \frac{\hat{p}^2}{2m} + \frac{1}{2}m\omega^2 \hat{x}^2$ 形式完全一致。通过系数一一对照：

- 等效质量 $\frac{1}{2m} \leftrightarrow 4E_C$
- 谐振频率 $\omega_r = \frac{\sqrt{8E_C E_L}}{\hbar} = \frac{1}{\sqrt{LC}}$

**3. 算符化简与能级结构**

为了直观地数出电路里有多少个“微波光子”，引入 **湮灭算符 $\hat{a}$** 与 **产生算符 $\hat{a}^\dagger$**：

$$\hat{H} = \hbar\omega_r \left( \hat{a}^\dagger \hat{a} + \frac{1}{2} \right)$$

求解对应的薛定谔方程，得到的本征能级为：

$$E_m = \left(m + \frac{1}{2}\right)\hbar\omega_r, \quad m = 0, 1, 2, \dots$$

- **外加微波驱动：** 当向电路施加交变电压驱动 $V_d(t)$ 时，会在哈密顿量中引入微扰项 $\hat{H}_d(t) \propto \hat{a} + \hat{a}^\dagger$，用于在谐振腔内激发或抽取微波光子。

**核心意义与应用**

- **为何不能做量子比特：** LC 电路的能级是 **严格等间距** 的（$\Delta E = \hbar\omega_r$），微波脉冲会引发连续跃迁而造成能级泄漏，因此必须改用约瑟夫森结（Transmon）来引入非线性。
- **谐振腔的真正用途：** 虽然无法作为比特，但该线性 LC 谐振腔在电路量子电动力学（cQED）中是不可或缺的 **量子总线（Bus）\**与\** 色散读取腔（Readout Cavity）**，专门用于辅助量子比特的状态测量与耦合互联。

<img src="./../../../../学习/a_笔记整理/My_Notes/量子测控学习笔记.assets/image-20260820111347809.png" alt="image-20260820111347809" style="zoom:50%;" /> <img src="./2.超导量子原理.assets/image-20260630104101113.png" alt="image-20260630104101113" style="zoom: 67%;" />

#### Transmon 的能级来源？

Transmon 的物理结构由一个大电容并联一个约瑟夫森架构成（如图 a 所示）。其哈密顿量同样遵循“动能（电容储能）+ 势能（约瑟夫森结储能）”的形式：

$$\hat{H}_q = 4E_C \hat{n}^2 - E_J \cos\hat{\varphi}$$

其中 $E_C$ 为充电能，$E_J$ 为约瑟夫森耦合能。

**1. 势能展开与微扰近似**

该系统的薛定谔方程严格数学解对应马丢函数（Mathieu Functions），没有初等的精确解析解。但由于 Transmon 工作在 **$E_J \gg E_C$** 的深度非谐振区（相位涨落较小），可将余弦势能在底部（$\hat{\varphi} \approx 0$）展开到四阶项：

$$\cos\hat{\varphi} \approx 1 - \frac{\hat{\varphi}^2}{2!} + \frac{\hat{\varphi}^4}{4!}$$

代入哈密顿量可拆分为两部分：

- **谐振子项（二次项）：** $4E_C \hat{n}^2 + \frac{1}{2}E_J \hat{\varphi}^2$，对应基准振荡频率 $\omega_p \approx \frac{\sqrt{8E_J E_C}}{\hbar}$。
- **非谐性微扰项（四阶项）：** $-\frac{E_J}{24}\hat{\varphi}^4$，该项直接打破了抛物线势阱的理想谐振性。

**2. 能级公式与不等间距特性**

利用一阶微扰论对上述哈密顿量求解，得到本征能级 $E_m$ 的近似解析解：

$$E_m \approx -E_J + \sqrt{8E_J E_C}\left(m + \frac{1}{2}\right) - \frac{E_C}{12}\left(6m^2 + 6m + 3\right)$$

由上式可直接求出相邻能级之间的跃迁能量差：

$$\hbar\omega_{m, m+1} = E_{m+1} - E_m \approx \sqrt{8E_J E_C} - (m + 1)E_C$$

具体到低能级跃迁：

- **计算区间跃迁（$\vert{}0\rangle \to \vert{}1\rangle$）：** $\hbar\omega_{01} \approx \sqrt{8E_J E_C} - E_C$
- **泄漏能级跃迁（$\vert{}1\rangle \to \vert{}2\rangle$）：** $\hbar\omega_{12} \approx \sqrt{8E_J E_C} - 2E_C$

**3. 非谐性（Anharmonicity）的物理意义**

两个相邻跃迁频率的差值定义为系统的 **绝对非谐性 $\alpha$**：

$$\alpha = \omega_{12} - \omega_{01} \approx -\frac{E_C}{\hbar}$$

- **能级不等距：** 由于负非谐性 $\alpha \approx -E_C$ 的存在，$\omega_{12}$ 比 $\omega_{01}$ 低了约 $100$–$300\text{ MHz}$。
- **隔离双能级：** 当使用频率为 $\omega_{01}$ 的微波脉冲驱动系统时，微波频率与 $\omega_{12}$ 产生失谐（Detuned），无法诱发 $\vert{}1\rangle \to \vert{}2\rangle$ 跃迁，从而成功将动力学限制在 $\{\vert{}0\rangle, \vert{}1\rangle\}$ 二维计算子空间内。

## 量子比特的优化

transmon 比特虽然好用，但不同场景需要不同特性的比特：有些场景需要能调频率的比特，有些需要更高非谐性的比特。这一节讲量子比特的发展，通过优化结构，让其能够调节频率、获得更好的性能。

<img src="./2.超导量子原理.assets/image-20251004185137650-1787213253001-1.png" alt="image-20251004185137650" style="zoom: 80%;" />

图 2 上排（a、c、e、g）展示了四种主流电容分流型量子比特的电路拓扑，下排（b、d、f、h）给出了对应的能级跃迁频率随外加磁通 $\Phi_{\text{ext}}$ 的响应曲线。

- **横轴**：外加磁通偏置 $\Phi_{\text{ext}}$。
- **纵轴**：跃迁频率（GHz）。蓝实线为基态跃迁频率 $\omega_{01}$（$\vert{}0\rangle \to \vert{}1\rangle$），红虚线为第一激发态跃迁频率 $\omega_{12}$（$\vert{}1\rangle \to \vert{}2\rangle$）。
- **核心指标**：两者差值定义为 **非简谐性（$\alpha = \omega_{12} - \omega_{01}$）**，决定系统能否将跃迁严格限制在二能级子空间；曲线的极值点（平缓处）对应 **磁通稳健点（Sweet Spot）**，此处斜率 $\frac{\partial\omega_{01}}{\partial\Phi_{\text{ext}}} \approx 0$，对一阶磁通噪声免疫，相干时间最长。

**① 对称可调 Transmon (Symmetric Split Transmon)**

- **电路原理（图 2a）**：

- <img src="./2.超导量子原理.assets/image-20260629202715133.png" alt="image-20260629202715133" style="zoom: 33%;" />

  将单结 Transmon 的固定结替换为由两个相同约瑟夫森结（$I_c$ 相同）构成的闭合环路——**直流超导量子干涉仪（DC-SQUID）**。通过环路的外加磁通 $\Phi_{\text{ext}}$ 会在两结间诱导相位差，实现等效约瑟夫森能量 $E_J(\Phi_{\text{ext}})$ 的连续调控：

  $$I = I_{c1}\sin\varphi_1 + I_{c2}\sin\varphi_2$$

  由于磁通量子化条件，环路满足 $\varphi_2 - \varphi_1 = \frac{2\pi \Phi_{\text{ext}}}{\Phi_0}$。对称情况下（$I_{c1}=I_{c2}=I_c$），利用和差化积化简总超导电流：

  $$I = 2I_c \cos\left( \frac{\pi \Phi_{\text{ext}}}{\Phi_0} \right) \sin\left( \varphi_1 + \frac{\pi \Phi_{\text{ext}}}{\Phi_0} \right)$$

  对应的等效临界电流与有效约瑟夫森能为：

  $$I'_c(\Phi_{\text{ext}}) = 2I_c \left\vert{}\cos\left( \frac{\pi \Phi_{\text{ext}}}{\Phi_0} \right)\right\vert{}, \qquad E'_J(\Phi_{\text{ext}}) = 2E_J \left\vert{}\cos\left( \frac{\pi \Phi_{\text{ext}}}{\Phi_0} \right)\right\vert{}$$

  外加磁通可使有效 $E'_J$ 在 $0 \sim 2E_J$ 之间调谐，从而大范围改变比特工作频率（图 2b）。

- **能谱特征（图 2b）**：

  能谱呈深周期性凹陷，非简谐性为负（$\omega_{12} < \omega_{01}$，$\alpha \approx -E_c$）。由于 $\alpha$ 的绝对值相对有限（约 $-200 \sim -300\text{ MHz}$），高速控制时通常需结合 DRAG（Derivative Removal by Adiabatic Gate）微波脉冲技术以抑制 $\vert{}1\rangle \to \vert{}2\rangle$ 的泄漏。在半磁通偏置点处频率下潜至零，调谐范围过宽导致其对磁通抖动极为敏感。

**② 不对称可调 Transmon (Asymmetric Split Transmon)**

- **电路设计（图 2c）**：

  为缓解对称 Transmon 在调频时对磁通噪声高度敏感的缺陷，将 SQUID 环路的两个结设计为不同尺寸（结不对称比 $\gamma = I_{c2}/I_{c1} = 2.5$）。

- **能谱特征（图 2d）**：

  等效约瑟夫森能在极小值点不再下潜归零，而是保留了底限 $\sim (\gamma - 1)E_{J1}$。能谱曲线起伏显著变平缓（频率调谐范围收窄至数 GHz 内），大幅降低了 $\frac{\partial\omega_{01}}{\partial\Phi_{\text{ext}}}$ 的斜率，有效抑制了磁通漂移引起的退相位，兼顾了频率可调性与抗噪能力。

**③ 电容分流磁通比特 (C-shunted Flux Qubit)**

- **电路设计（图 2e）**：

  采用一个主约瑟夫森结与两只较大面积的结（$\gamma C_J$）构成超导环路，并额外并联大电容进行分流。其势能面呈现双阱特征，基态与激发态由环路中的顺时针与逆时针持续电流态线性叠加而成。

- **能谱特征（图 2f）**：

  在半磁通偏置点（$\Phi_{\text{ext}} = \pm \pi/2$ 附近，即 $\pm 0.5\,\Phi_0$），$\omega_{01}$ 出现深窄的能隙极小点，且 **非简谐性转为显著的正值（$\omega_{12} > \omega_{01}$，$\alpha > 0$）**。正非简谐性使得高能级跃迁门槛变高，天然杜绝了向 $\vert{}2\rangle$ 态泄漏的通道。

**④ 电容分流磁通量子 (C-shunted Fluxonium)**

- **电路设计（图 2g）**：

  由一个小面积约瑟夫森结和一个由数十至上百个大结组成的超电感阵列（Superinductance Array）闭环并联，外加电容分流。超电感提供了极大的线性电感且没有电阻损耗，彻底消除了传统磁通比特中的相位滑移与电荷噪声。

- **能谱特征（图 2h）**：

  - **超大正非简谐性**：在半磁通偏置点（$\pm \pi/2$）处，$\omega_{01}$ 处于深能谷（通常只有几百 MHz 到 1~2 GHz），而 $\omega_{12}$ 维持在数 GHz 之上（$\omega_{12} \gg \omega_{01}$），呈现极强的正非简谐性，彻底消除能级泄漏。
  - **超长相干时间**：计算态波函数在半磁通点具有强烈的空间正交偶极矩保护，加上极低的跃迁频率，使得能级跃迁对介电损耗和磁通噪声具备天然双重屏蔽（毫秒级相干时间），已成为构建高精度容错量子计算的重要前沿路线。



## 量子比特相互作用

**量子比特之间怎么通信与协调？**

单个比特再好用，也做不了计算——得让比特之间能产生纠缠，这就需要耦合。这一节主要讲两种耦合方式：电容耦合和电感耦合。

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**1. 电容耦合——电场**

在两个比特的电容板之间再放一个小电容（叫耦合电容），用电场传递信号。作用是让两个比特能交换状态：比如比特 A 是 $|1\rangle$、比特 B 是 $|0\rangle$，耦合后变成 A 是 $|0\rangle$、B 是 $|1\rangle$，交换后就能产生纠缠效应（实现纠缠门 iSWAP 门的基础）。

- **(a) 直接电容耦合（Direct capacitive coupling）**：两个量子比特的电压节点（$V_1$ 和 $V_2$）之间直接接一个耦合电容 $C_g$。一个比特的电荷波动（电压变化）会通过 $C_g$ 的电场传递给另一个比特，实现比特间的相互作用。
- **(b) 通过耦合器的电容耦合（Capacitive coupling via coupler）**：两个比特不直接相连，而是分别通过耦合电容连接到一个线性谐振器。可通过调节谐振器的参数灵活控制两个比特的耦合强度，还能让原本距离远的比特也实现耦合。

**2. 电感耦合——磁场**

让两个比特的环路靠得近一点，用磁场传递信号。作用是不交换状态，只给两个比特都为 $|1\rangle$ 的情况加个相位：比如两个比特都是 $|1\rangle$，交流后会多一个 $\pi$ 相位，不改变状态，但改变相位。

- **(c) 直接电感耦合（Direct inductive coupling）**：两个量子比特的超导环路（电感 $L_1$、$L_2$）之间通过互感 $M_{12}$ 耦合。电流 $I_1$、$I_2$、$\phi_{e1}$、$\phi_{e2}$ 会影响耦合。一个比特的电流波动（磁场变化）会通过 $M_{12}$ 的磁场传递给另一个比特，实现相互作用。
- **(d) 通过耦合器的电感耦合（Inductive coupling via coupler）**：两个比特通过中间耦合器（带约瑟夫森结 $I_{cc}$ 和外部磁通 $\phi_{eC}$）间接连接，利用互感 $M_{1C}$、$M_{2C}$ 传递磁场作用。耦合器的频率可调节，能灵活开关或调整两个比特的耦合强度，适配不同的量子操作需求。

## 噪声与退相干

**核心问题：为什么量子比特这么敏感？如何增加相干时间？**（噪声分类、Bloch-Redfield 模型、1/f 噪声等常见噪声源，以及动态解耦等抑制技术）

### 噪声的类型

- **系统噪声（Systematic noise）**：比如给 qubit 发一个让它转 180° 的微波脉冲，但脉冲强度没调好，实际只转了 178°，每次都差 2°。这类噪声 **能校准**。
- **随机噪声（Stochastic noise）**：控制线路里的电阻发热产生约翰逊噪声（电压随机跳），或 qubit 周围的电路表面有小电荷陷阱、电荷偶尔跳一下，导致 qubit 频率乱飘。每次不一样，**难校准**，要抗干扰设计或动态抵消。
- **噪声强度 & qubit 敏感度**：噪声强度指干扰的大小；qubit 敏感度指 qubit 对某种噪声的抵抗力。

### 噪声和退相干建模

噪声是怎么影响 qubit 的？用 Bloch 球和 Bloch-Redfield 模型，解释噪声怎么让 qubit 丢信息。

**1. 布洛赫球**

- 北极：qubit 的 "0 态"（$|0\rangle$）；南极：qubit 的 "1 态"（$|1\rangle$）；
- 赤道：qubit 的 "叠加态"，比如 "一半停止、一半前进"（$\frac{1}{\sqrt{2}}(|0\rangle+|1\rangle)$）；
- 球表面是纯态，qubit 的状态很明确；球内部是混合态，qubit 的状态模糊了。比如球中心（完全不知道是 $|0\rangle$ 还是 $|1\rangle$），这就是噪声导致的退相干。

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251004_185227.png" alt="局部截取_20251004_185227" style="zoom: 50%;" />

**2. Bloch-Redfield 模型**

这个模型把退相干分成三种情况，对应 Bloch 球上箭头的三种变化，每种都和不同噪声有关。图 4 的 (b)(c)(d) 分别画了这三种情况。

**（1）纵向 relaxation（图 (b)）**：qubit 从高能态 $|1\rangle$ 把能量传给环境（周围的电路、热量影响），回到低能态 $|0\rangle$，这个过程的时间常数叫 $T_1$。（比如 $T_1=85\mu$ s，就是 qubit 从 $|1\rangle$ 到 $|0\rangle$，能量剩 $1/e$ 大概要 85 微秒）

- 蓝色弯箭头：$|1\rangle\to|0\rangle$（能量释放，最常见，因为低温下环境吸收能量容易）；
- 橙色弯箭头：$|0\rangle\to|1\rangle$（能量吸收，很少见，因为低温下环境没多少能量给 qubit）。

**（2）纯 dephasing（图 4 (c)）**：qubit 没丢能量（还是 $|0\rangle$ 和 $|1\rangle$ 的叠加），但叠加态的相位乱了。原本是 $|0\rangle+|1\rangle$，变成 $|0\rangle+i|1\rangle$，再变成 $|0\rangle-|1\rangle$，最后完全分不清相位，箭头在赤道上 "转圈扩散"。

原因是纵向噪声（比如磁通噪声）让 qubit 频率乱飘，叠加态的两个成分（$|0\rangle$ 和 $|1\rangle$）振动速度不一样，慢慢就不同步了。纯 dephasing 不丢能量（箭头还在赤道面，没上下动），只是相位乱了，可以用脉冲把相位掰回来。

**（3）横向 relaxation（图 4 (d)）**：就是上面两个的叠加效果。

$T_2$ 代表总退相干速度，等于 $T_1$ 导致的能量丢失加上 $T_\varphi$ 导致的相位乱掉，公式是 $1/T_2 = 1/(2T_1) + 1/T_\varphi$（如 $T_1=85\mu$ s，$T_2$ 可能只有 $95\mu$ s）。

- 红色：相位乱（$T_\varphi$），箭头在赤道扩散；
- 蓝色：能量掉（$T_1$），箭头从赤道慢慢往北极缩；
- 结果：箭头既缩短又扩散，很快就到球中心，信息丢光。

### 1/f 噪声

前面说的 $T_1$、$T_2$ 都是指数衰减（箭头缩短的速度是固定的）。实际中有一种常见噪声叫 1/f 噪声，会让衰减变成 "非指数"（曲线更陡或更平缓），这种低频噪声危害更大。

对 qubit 的影响：1/f 噪声是低频波动多，$T_2$ 衰减不是直线，而是高斯曲线（先慢后快）。

下图是测 $T_1$ 和 $T_2$ 的实验结果，四个图对应不同测量方法：

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251002_162928.png" alt="局部截取_20251002_162928" style="zoom:50%;" />

- 图 (a) 测 $T_1$：给 qubit 发 Xπ 脉冲（让它从 $|0\rangle\to|1\rangle$），不断测量量子比特状态，结果是指数下降，拟合出 $T_1=85\mu$ s（$1/e$ 状态处）。
- 图 (b) 测 $T_2^*$（没抵消低频噪声的 $T_2$）：用 Ramsey 干涉，发两个 Xπ/2 脉冲，中间等时间 $\tau$，结果是振荡衰减，衰减快，拟合出 $T_2^*=95\mu$ s。
- 图 (c) 测 $T_2^E$（抵消了部分低频噪声的 $T_2$）：用 Hahn 回波，在两个 Xπ/2 中间加一个 Xπ 脉冲（相当于重置相位），衰减变慢，拟合出 $T_2^E=120\mu$ s（比 $T_2^*$ 长，说明抵消了部分 1/f 噪声）。
- 图 (d) 分解衰减原因：把图 5 (b) 的数据拆成指数部分（$T_1$ 导致）和高斯部分（1/f 噪声导致），两个加起来刚好拟合实验数据，说明 1/f 噪声确实让衰减变了样。

### 常见的噪声例子

- **1. 电荷噪声（Charge noise）——静电干扰**：电路表面的 "小电荷陷阱"（基板里的杂质、金属表面的缺陷），电荷偶尔跳来跳去。主要让 $T_1$ 变短（能量跑掉）；如果 qubit 的 $E_J/E_C$ 不够大（transmon 没做好），还会让 $T_\varphi$ 变短（相位乱）。
- **2. 磁通噪声（Flux noise）——磁场波动**：qubit 表面的磁矩（吸附的氧气分子、金属表面的未配对电子）偶尔翻转，导致周围磁场波动。主要让 $T_\varphi$ 变短（相位乱），因为磁场波动会让 Split Transmon 这类可调频率的 qubit 频率乱飘。
- **3. 光子数波动（Photon number fluctuations）——杂光干扰**：qubit 旁边的读出谐振腔里有残留光子（从室温传来的微波、电路发热产生的光子），光子数量偶尔变多变少。让 $T_\varphi$ 变短（相位乱），因为光子数变化会让 qubit 频率偶尔偏移。
- **4. 准粒子（Quasiparticles）——电路里的小杂质**：超导材料里的未配对电子（正常超导是电子成对的，准粒子是单个电子），可能由热量、辐射产生。让 $T_1$ 变短（能量跑掉），因为准粒子会带走 qubit 的能量，还可能让 qubit 误跳到高能级。

## 量子比特控制

这是咱们实验室重点研究方向之一。本章讲如何操控超导量子比特，从经典逻辑门的基础讲起，逐步过渡到量子比特的具体控制方法。

### 经典计算机中的布尔逻辑门

**经典部分**：主要讲了经典电路的与或非门的真值表和特点，我们都很熟了，这里不展开。文章里所说的经典计算，就是不同门实现的组合逻辑；文章后面会用经典计算和量子门进行比较。

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251006_131914.png" alt="局部截取_20251006_131914" style="zoom: 40%;" />

**通用门集**：无需所有门，仅需 NOT+AND、或单独的 NAND、或单独的 NOR，即可组合出任意布尔逻辑，比如加法、乘法。

### 量子计算机中的量子逻辑门

量子比特不止 0 和 1，还能是 0 和 1 的叠加态。量子门需能操控叠加态，且均为 **幺正操作（可逆）**。

![image-20260810140845966](./2.超导量子原理.assets/image-20260810140845966.png)
$$H = \frac{\sqrt{2}}{2}\begin{pmatrix} 1 & 1 \\ 1 & -1 \end{pmatrix},\; X = \begin{pmatrix} 0 & 1 \\ 1 & 0 \end{pmatrix},\; Y = \begin{pmatrix} 0 & -i \\ i & 0 \end{pmatrix},\; Z = \begin{pmatrix} 1 & 0 \\ 0 & -1 \end{pmatrix}$$
$$S = \begin{pmatrix} 1 & 0 \\ 0 & i \end{pmatrix},\; T = \begin{pmatrix} 1 & 0 \\ 0 & e^{i\pi/4} \end{pmatrix}$$
$$R_x = \begin{pmatrix} \cos\frac{\theta}{2} & -i\sin\frac{\theta}{2} \\ -i\sin\frac{\theta}{2} & \cos\frac{\theta}{2} \end{pmatrix},\; R_y = \begin{pmatrix} \cos\frac{\theta}{2} & -\sin\frac{\theta}{2} \\ \sin\frac{\theta}{2} & \cos\frac{\theta}{2} \end{pmatrix},\; R_z = \begin{pmatrix} 1 & 0 \\ 0 & e^{i\theta} \end{pmatrix}$$
$$\text{CNOT} = \begin{pmatrix} I & 0 \\ 0 & X \end{pmatrix},\qquad \text{CZ} = \begin{pmatrix} I & 0 \\ 0 & Z \end{pmatrix}$$

**1. 单比特门**

量子比特的状态用布洛赫球表示（一个单位球，北极是 0 态，南极是 1 态，球面上的点是叠加态，球内部则是退相干后的状态）。单量子比特门就是让布洛赫球上的点绕某个轴旋转固定角度。下图用表格呈现了不同门的名称、电路符号、矩阵表示、真值表、布洛赫球旋转。

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251003_145238.png" alt="局部截取_20251003_145238" style="zoom: 50%;" />

- **Identity（恒等门）**：不旋转，状态不变。
- **X 门**：绕 x 轴旋转 180°，作为量子的 NOT 门，让北极 → 南极。
- **Y 门**：绕 y 轴旋转 180°。
- **Z 门**：绕 z 轴旋转 180°，就改变相位。
- **S 门**：绕 z 轴旋转 90°。
- **T 门**：绕 z 轴旋转 45°。
- **H 门（哈达玛门）**：绕 x–z 对角轴旋转 180°，将纯态转为均匀叠加态，让北极 → 赤道。

单比特门的最小门组是 H 和 T 门，再加一个双比特门 CNOT，就可以实现任意一个多比特门。

<img src="./2.超导量子原理.assets/image-20260629193229478.png" alt="image-20260629193229478" style="zoom:50%;" />

哈达玛门：0 态变到 X 轴正方向 $|+\rangle$，也就是 $(|0\rangle+|1\rangle)/2$ 这个方向；1 态变到 X 轴负方向 $|-\rangle$，也就是 $(|0\rangle-|1\rangle)/2$ 这个方向。用哈达玛门可以快速记忆 $|-\rangle$ 和正的 $|+\rangle$ 是怎么表示。几何上就是绕 xz 对角线轴旋转 180°。

<img src="./2.超导量子原理.assets/image-20260629194047384.png" alt="image-20260629194047384" style="zoom: 50%;" />

T 门就是 0 态不变，1 态给他加 45° 相位，绕 Z 轴逆时针转动 45 度（注意要用右手定则来判断角度）。

**2. 双比特门**

双量子比特门能让两个独立的量子比特产生纠缠（一个量子比特的状态会直接影响另一个，即使分开也关联）。

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251003_145509.png" alt="局部截取_20251003_145509" style="zoom:67%;" />

**CNOT 门（受控非门）**：有控制比特和目标比特，控制比特的状态决定是否翻转目标比特。只有当控制比特是 1 时，才翻转目标比特；控制比特是 0 时，目标比特不变。真值表（控制比特在前，目标在后）：输入 00→00，01→01，10→11，11→10。

能产生纠缠：输入控制比特 $(|0\rangle+|1\rangle)/\sqrt{2}$、目标比特 $|0\rangle$，输出后会变成 $(|00\rangle+|11\rangle)/\sqrt{2}$。这是典型的贝尔纠缠态，两个量子比特再也没法拆成独立的状态。网上搜的纠缠的定义如下。

<img src="./2.超导量子原理.assets/image-20251003150239310.png" alt="image-20251003150239310" style="zoom: 67%;" />

$$\text{CNOT} = \begin{pmatrix} 1 & 0 & 0 & 0 \\ 0 & 1 & 0 & 0 \\ 0 & 0 & 0 & 1 \\ 0 & 0 & 1 & 0 \end{pmatrix}$$

CNOT 门你会发现矩阵更大，因为是双比特门，有四个态 00、01、10、11。可以发现 10 的时候输出 11，11 的时候输出 10，明显第一个为控制比特——要是控制比特为 1，另外一个目标比特必须反转。双比特门不能看作是旋转了，而是纠缠。

<img src="./2.超导量子原理.assets/image-20260629195009920.png" alt="image-20260629195009920" style="zoom:50%;" />

可以对受控比特来说当做有条件的 $X_\pi$ 门。

> **纠正理解**：输入是两个端口，输出应该也是两个值才对？——量子门操作的是 "态的变换"，多比特门会同时改变多个比特的联合态。改变的都是比特的联合态。

**CPHASE 门（受控相位门，也叫 CZ 门）**：同样有控制和目标比特两个端口，控制和目标比特可互换。只有当控制比特和目标比特都为 1 时，才给目标比特加一个 $\pi$ 相位（不改变测量结果，但会影响叠加态的干涉）；其他情况不变。真值表：输入 00→00，01→01，10→10，11→-11（-1 代表相位变负），仅改变相位。

和 CNOT 门能互相转换（加两个 H 门就行）：$U_{CNOT}=(I\otimes H)U_{CPHASE}(I\otimes H)$（H 门作用于目标比特后，CPHASE 等效为 CNOT）。

**3. 通用门集**

量子计算的通用门集需满足 "任意单量子比特门 + 一个纠缠双量子比特门"，即可组合出所有量子操作（包括 Shor 算法、VQE 算法）。这与经典通用门集（NAND）不同。**纠缠门提供量子特性，单比特门调整叠加态。**

### 经典门与量子门比较

![局部截取_20251003_150945](./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251003_150945.png)

**经典 NOT 门与量子 X 门的对比及本质区别**

1. **经典 NOT 门（非门，图 11a）**：

   作用于离散经典比特 $b \in \{0, 1\}$，输出为反相值 $\bar{b}$。仅有 $0 \to 1$ 与 $1 \to 0$ 两种确定性的翻转状态，不涉及任何概率幅或相位。

2. **量子 X 门（比特翻转门，图 11b）**：

   作用于二维希尔伯特空间中的态矢 $\vert{}\psi_{\text{in}}\rangle = a\vert{}0\rangle + b\vert{}1\rangle$（矩阵形式为 $\begin{bmatrix} a \\ b \end{bmatrix}$）。

   其矩阵表示为泡利矩阵 $\hat{X} = \begin{bmatrix} 0 & 1 \\ 1 & 0 \end{bmatrix}$，作用后输出为：

   $$\vert{}\psi_{\text{out}}\rangle = \hat{X}\vert{}\psi_{\text{in}}\rangle = b\vert{}0\rangle + a\vert{}1\rangle \quad \left(\text{即 } \begin{bmatrix} b \\ a \end{bmatrix}\right)$$

   不仅能将计算基态 $\vert{}0\rangle \leftrightarrow \vert{}1\rangle$ 互换，更能 **线性地交换任意叠加态中的两项概率幅**（例如 $\frac{\vert{}0\rangle - i\vert{}1\rangle}{\sqrt{2}} \xrightarrow{\hat{X}} \frac{-i\vert{}0\rangle + \vert{}1\rangle}{\sqrt{2}}$），并在变换过程中完整保留全局与相对相位信息。

**量子逻辑门与经典逻辑门的三大核心区别**

1. **操作的可逆性（Reversibility）**：
   - **量子门**：所有闭合量子系统的门操作均由幺正算符（$U^\dagger U = I$）描述，天然无信息损失，数学上严格可逆（即每个量子门都可以通过作用其共轭转置门 $U^\dagger$ 完美还原输入）。
   - **经典门**：大多数多输入经典逻辑门（如 AND、OR、NAND）具有多对一的映射关系，无法仅凭输出反推输入，属于不可逆操作，伴随信息擦除与朗道尔能量耗散。
2. **状态空间的连续性与叠加态调控（Superposition Handling）**：
   - **量子门**：定义在连续的复向量空间（布洛赫球表面），支持生成、旋转和干涉连续变化的叠加态（如 Hadamard 门可将确定态制备为等权叠加态 $\frac{\vert{}0\rangle + \vert{}1\rangle}{\sqrt{2}}$）。
   - **经典门**：仅能在离散的二值布尔集合 $\{0, 1\}$ 间进行离散逻辑映射，无法处理中间态。
3. **通用门集合的构建（Universality of Gate Sets）**：
   - **量子计算**：量子状态空间为连续流形，通用量子计算需要包含任意单比特连续旋转门（SU(2)）加上至少一个双比特纠缠门（如 CNOT、CZ）构成的通用门集合（如 Clifford + T 门集），以覆盖整个多比特复合纠缠空间。
   - **经典计算**：经典逻辑只需离散的通用逻辑门（如单独的 NAND 门或 NOR 门），即可通过简单级联组合出任意复杂的布尔函数。

### 单量子比特门操控

怎么操控单比特门？单比特控制的核心是 **微波脉冲通过电容耦合驱动量子比特旋转**。

#### 微波控制

![局部截取_20251003_151702](./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251003_151702.png)

如何用微波脉冲控制超导量子比特的旋转？超导量子比特（如 transmon）主要靠微波脉冲控制，核心是微波驱动线和量子比特的电容耦合。

图 12 展示了典型的微波驱动线与 Transmon 量子比特之间的电容耦合控制电路。整个微波操控链路分为三个核心部分：

1. **室温控制端（Room Temperature）**：

   由任意波形发生器（AWG）与微波源合成时变微波电压信号 $V_d(t) = V_0(t)\cos(\omega_d t + \phi_d)$。其中，载波频率 $\omega_d$、包络幅度 $V_0(t)$ 与初始相位 $\phi_d$ 均可独立精确编程。

2. **低温传输布线（Wiring）**：

   微波信号通过制冷机内部的同轴线缆下行传递至毫开尔文（mK）低温区，电路中的 $R_w$ 代表同轴传输线的特征阻抗与衰减衰减网络，起到阻抗匹配与滤除室温热噪声的作用。

3. **芯片端量子比特（On-Chip Qubit）**：

   位于低温芯片上的 Transmon 量子比特（由约瑟夫森结与分流电容 $C$ 并联构成），通过极小的弱驱动耦合电容 $C_d$（通常 $C_d \ll C$）接入微波控制线。

**微波脉冲如何驱动量子比特在布洛赫球上旋转**

1. **驱动哈密顿量的引入（能量注入）**：

   微波信号通过耦合电容 $C_d$ 在量子比特极板上诱导时变感应电荷 $q_d(t) \approx C_d V_d(t)$，在系统哈密顿量中引入电荷驱动微扰项：

   $$\hat{H}_d(t) \approx 2e \frac{C_d}{C_{\Sigma}} V_d(t) \hat{n}$$

   其中 $C_{\Sigma} = C + C_d$ 为总对地电容，$\hat{n}$ 为库珀对数算符。在二能级子空间近似下，该项可映射为泡利算符 $\hat{\sigma}_x$。

2. **旋转轴的确定（由微波相位 $\phi_d$ 决定）**：

   当微波频率与比特跃迁频率共振（$\omega_d = \omega_{01}$）时，转换到随微波频率旋转的坐标系（旋转波近似 RWA）下，驱动哈密顿量简化为：

   $$\hat{H}_{\text{RWA}} = \frac{\hbar \Omega_R(t)}{2} \left( \cos\phi_d \, \hat{\sigma}_x + \sin\phi_d \, \hat{\sigma}_y \right)$$

   改变微波的相位 $\phi_d$，即可自由指定布洛赫球赤道面上的旋转轴（如 $\phi_d = 0$ 对应绕 $X$ 轴旋转，$\phi_d = \pi/2$ 对应绕 $Y$ 轴旋转）。

3. **旋转角度的确定（由脉冲包络积分决定）**：

   驱动强度（拉比频率）$\Omega_R(t) \propto V_0(t)$ 与微波脉冲幅度成正比。比特在布洛赫球上的旋转角度 $\theta$ 由脉冲包络的积分面积严格决定：

   $$\theta = \int \Omega_R(t) \, dt$$

   通过精确调制微波脉冲的宽度与幅度，即可实现任意角度的单比特量子逻辑门（例如 $\theta = \pi$ 对应将 $\vert{}0\rangle$ 完全翻转为 $\vert{}1\rangle$ 的 X 门，$\theta = \pi/2$ 则制备等权叠加态）。

#### 旋转的实现

怎么实现 X、Y 方向的旋转？

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251003_151851.png" alt="局部截取_20251003_151851" style="zoom:75%;" />

- **图 13a 微波生成流程**：本地振荡器（LO）提供高频载波（如 5 GHz），任意波形发生器（AWG）生成脉冲包络（$s(t)$，控制脉冲的形状和时长），两者通过 IQ 混频器组合，生成最终的微波脉冲 $V_d(t)$（$\omega_d=\omega_{LO}\pm\omega_{AWG}$），送到量子比特，驱动 X/Y 方向旋转。
- **图 13b 脉冲包络对应量子门**：比如要实现 X 门，AWG 生成 I 通道的脉冲；要实现 Y 门，生成 Q 通道的脉冲（I 和 Q 是微波的两个正交分量，对应 X 和 Y 轴）。
  - I 通道（同相）的脉冲对应 X 方向旋转；
  - Q 通道（正交）的脉冲对应 Y 方向旋转；
  - 脉冲时长决定旋转角度：π 脉冲对应 180° 旋转，π/2 脉冲对应 90° 旋转。
- **图 13c 具体例子**：一个 $X_{\pi/2}$ 脉冲（绕 X 轴转 90°）把 $|0\rangle$ 态变成 $(|0\rangle-i|1\rangle)/\sqrt{2}$ 态，在布洛赫球上从北极转到了赤道的西侧点。

**3. 旋转坐标系**

补充一下相关数学知识，即 **相互作用表象下的演化和旋转坐标系**。要理解我们发的波形是怎么影响量子比特的，必须得用公式推导了。

在什么都不干的时候，量子态会在布洛赫球上高速旋转，很难算，公式如下面本征能量公式。

$$\hat{H}_q = \frac{\hbar\omega_q}{2}\hat{\sigma}_z$$

$H_q$ 代表量子比特自己本身自带的哈密顿量，也叫本征哈密顿量；$\omega_q$ 是量子态从 0 跃迁到 1 态的跃迁频率，这一项会让量子态绕 Z 轴疯狂旋转。不带帽子的 $\sigma$ 只是普通数字矩阵，戴了之后就变成量子力学算符。也可以换一种理解：这个 Z 算符是下面这个东西，带进去 $E_0=\hbar\omega/2$、$E_1=-\hbar\omega/2$，能级差刚好就是一个 $\hbar\omega$。

$$\hat{\sigma}_z = \begin{pmatrix} 1 & 0 \\ 0 & -1 \end{pmatrix}$$

**旋转坐标系**：这个相互作用表象其实就是旋转坐标系——我们的视角跟着量子态一起转，量子态就相当于静止了，好算多了。

施加的驱动同样可以把 $\omega$ 消掉。

$$\hat{H}_d(t) = \hbar\Omega(t)\cos(\omega_q t + \varphi)\,\hat{\sigma}_x$$

旋转波近似下变成：

$$\hat{H}_{d,I} = \exp\left( i H_0 t/\hbar \right)\hat{H}_d \exp\left( -i H_0 t/\hbar \right) = \frac{\hbar\Omega(t)}{2}\left( \cos\varphi\,\hat{\sigma}_x + \sin\varphi\,\hat{\sigma}_y \right)$$

$H_d$ 就是外界施加的微波的哈密顿量，仔细看确实少了一个 $\omega_q$，有用的就只有包络和波形相位了。可以发现，**相位决定了绕 XY 平面的哪一个轴旋转**：$\varphi=0$ 就是绕 X 轴转，等于 $\pi/2$ 就是绕 Y 轴转，等于其他的就是绕 XY 平面的任意一条转轴旋转。轴定了，那么转多快、转多少角度呢？实际由包络决定。这个 $\Omega(t)$ 就是拉比频率，也叫包络强度，$\Omega(t)$ 对时间积分就是旋转角度。

频率、包络、相位我们都可控，因此可以决定绕 XY 平面上任意一个轴旋转多少度，也就能做拉比振荡实验了。**这个公式至关重要，直接对应了我们电子学的微波控制。**

任意一个旋转门可以表示成如下形式：$\gamma$ 是旋转角度，$\varphi$ 决定绕哪根 XY 平面的轴旋转，$-1/2 i$ 是什么不管记住就行。

$$R(\gamma, \varphi) = \exp\left[ -\frac{1}{2}i\gamma(\cos\varphi\hat{\sigma}_x + \sin\varphi\hat{\sigma}_y) \right]$$

对于 Z 旋转的驱动，写成 $\hat{H}_d(t) = \frac{\hbar f(t)}{2}\hat{\sigma}_z$，这样 $\theta = \int f(t)dt$，变成矩阵形式：

$$P(\theta) = \exp\left( -\frac{i}{\hbar} \int \hat{H}_d(t) dt \right) = \exp\left( -i \frac{\theta}{2} \hat{\sigma}_z \right)$$

$$\exp\left( -i \frac{\theta}{2} \hat{\sigma}_z \right) = \begin{pmatrix} \exp\left(-i\frac{\theta}{2} \cdot 1\right) & 0 \\ 0 & \exp\left(-i\frac{\theta}{2} \cdot (-1)\right) \end{pmatrix} = \begin{pmatrix} \exp\left(-i\frac{\theta}{2}\right) & 0 \\ 0 & \exp\left(i\frac{\theta}{2}\right) \end{pmatrix}$$

**旋转坐标系变换**：

$$|\psi\rangle_I = \exp\left( -i\,\omega_q t/2\,\hat{\sigma}_z \right)|\psi\rangle_S$$

这个就是坐标系变换公式：$S$ 是静止坐标系的态，$I$ 是旋转坐标系下的态。绕 z 轴旋转因子被消掉了。在薛定谔表象下态带有随时间快速振荡的相位，换到旋转坐标系后变成：

$$|\psi\rangle_S = \alpha e^{i\omega_q t}|0\rangle + \beta e^{-i\omega_q t}|1\rangle$$
$$|\psi\rangle_I = \alpha|0\rangle + \beta|1\rangle$$

### 虚拟 Z 门

虚拟 Z 门是绕 z 轴的旋转。正常需要单独的微波脉冲，但虚拟 Z 门不用，它通过 **改变后续微波脉冲的相位** 来实现 Z 门的效果。

先给一个 $X_\theta$ 脉冲（绕 X 轴转 $\theta$），再给一个相位偏移 $\pi/2$ 的 $X_\theta$ 脉冲，组合起来的效果就相当于 "$X_\theta + Z_\pi + X_\theta$"，中间的 $Z_\pi$ 就是虚拟 Z 门。好处：不占用额外时间、没有实际脉冲，能减少量子比特的 decoherence（退相干），提高控制效率。

李少炜博士论文里介绍了虚拟相位门的公式表示：

$$R(\gamma, \varphi) P(\theta) = P(\theta) R(\gamma, \varphi + \theta)$$

这个公式含义是：先绕 Z 旋转 $\theta$，再绕赤道 $\varphi$ 转 $\gamma$ 度，等价于先让它绕赤道面夹角为 $\varphi + \theta$ 的轴旋转 $\gamma$，后补一个绕 Z 轴旋转 $\theta$。这个比较难想，要配图来想。我想了比较久，但是没想明白。**反正知道虚拟相位门就是不需要物理 Z 门了，用 XY 波形相位的改变来等效。** 通过选取 XY 平面的轴，我们可以把量子态转到任意一个我们想要的相位。我们在意的是把量子态投到南北极，所以直接把这个 $P(\theta)$ 省略掉，就不需要加了。

<img src="./2.超导量子原理.assets/image-20260630140929855.png" alt="image-20260630140929855" style="zoom:50%;" />

### DRAG

DRAG 方案能解决能级泄漏问题。

超导量子比特是弱非谐振荡器，除了 $|0\rangle$ 和 $|1\rangle$，还有 $|2\rangle$、$|3\rangle$ 等更高能级。如果微波脉冲的频率范围太宽，会不小心把 $|1\rangle$ 态激发到 $|2\rangle$ 态（这叫泄漏），导致量子计算出错。

**图 14** 分 a–g 七个子图，展示 DRAG 方案的原理与效果：

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251003_152919.png" alt="局部截取_20251003_152919" style="zoom: 50%;" />

- 图 14a：transmon 量子比特的能级图，$|0\rangle\to|1\rangle$ 的频率是 $\omega_q$，$|1\rangle\to|2\rangle$ 的频率是 $\omega_q+\alpha$（$\alpha$ 是负的，实际比 $\omega_q$ 小 200 MHz）。
- 图 14b、c：普通高斯脉冲的频率范围宽（图 14b 为高斯脉冲图，横轴是时间），会覆盖 $|1\rangle\to|2\rangle$ 的频率（$\omega_q+\alpha$）（图 14c 的 FFT 图，横轴是频率），导致泄漏。
- 图 14d、e：没有 DRAG 的 $X_\pi$ 脉冲（图 14d），会让量子态偏离 $|1\rangle$（图 14e，出现相位误差）。
- 图 14f、g：I 通道为高斯包络，Q 通道为其导数。加了 DRAG 的脉冲（图 14f，Q 通道加了脉冲的导数项），能抑制泄漏和相位误差，量子态准确停在 $|1\rangle$（图 14g）。

波形修改规则：$s(t) \to \begin{cases} s(t) & \text{I通道} \\ \lambda \cdot \dot{s}(t)/\alpha & \text{Q通道} \end{cases}$（$\lambda$ 为 scaling 参数，理论最优 $\lambda=0.5$ 用于减少相位误差，$\lambda=1$ 用于减少泄漏）。

DRAG 的原理是：通过修改脉冲的正交分量（Q 通道），加入脉冲包络的导数项，抵消更高能级的激发，让微波脉冲只作用于 $|0\rangle\to|1\rangle$，不碰 $|1\rangle\to|2\rangle$。现在先进的单量子比特门，用 DRAG 后保真度能达到 99% 以上。

**驱动与包络**

$R(\pi/2, \varphi)$ 门就是把 0 态转到赤道上的门。我们要得到它，要发怎么样的波形呢？首先不能发方波，因为方波有很多高频杂散信号，所以要发平滑的包络。常用的为 $\sin^2$ 型包络，作用时间设为 $T_{\pi/2}$，这样就能转到对应的角度。理论上，只要幅度越大，作用时间就能越短。

$$\Omega(t) = \Omega_0 \sin^2\left(\pi \frac{t}{T_{\pi/2}}\right)$$

但是强大的微波会和 $|1\rangle$、$|2\rangle$ 态发生近共振耦合，在量子力学中这会形成 **缀饰态（Dressed States）**，缀饰能级会偏离原来的能级频率差，造成能级移动与相位误差。

$$2\pi \cdot \Delta f = \frac{\Omega^2}{2\eta}$$

还有一个问题是能级泄漏，就是被错误地激发到 2 态上面去了。

解决这两个问题就是用 DRAG 技术，这个大家都知道了，但是他这边给了具体公式：

$$\Omega'(t) = \left( \mathbf{\Omega(t)} - \mathbf{i \alpha \frac{\dot{\Omega}(t)}{\eta}} \right) \mathbf{e^{2\pi i \Delta f t}}$$

微波信号是一个复数，包含同相和正交分量。我刚开始不太理解，波形怎么还有虚数的？似乎在现实世界压根没有虚数波形。然而，实际上加一个虚数，也就是换另一个端口（Q 端口）进去罢了：实数波形和虚数波形搭载 90° 相位差的载波，直接加在一起输入进去。

原始包络是 $\Omega(t)$，在 I 通道；导数修正项是 $-i\alpha\frac{\dot{\Omega}(t)}{\eta}$（在 Q 通道）。上面加一个点代表变化率。频率修正因子是 $e^{2\pi i\Delta f t}$，说是用来缀饰能级移动引起的动态相位误差。参数优化主要是优化 $\alpha$ 就行。

**他怎么确定 $\alpha$ 的呢？**

先打一个 $X/2$ 门，把比特从北极推到赤道，接着连续打很多个 **I 门**，最后再打一个 X/2 门，毫无误差的话，1 的概率就 100%。但实际中肯定有误差，越接近 1 越好，所以我们就要确定 $\alpha$ 的值消除相位误差。

![image-20260630151036664](./2.超导量子原理.assets/image-20260630151036664.png)

这个图就是扫 $\alpha$，最高点就是最优的 $\alpha$ 位置。

### 双比特门的实现

#### iSWAP 门

双量子比特门需要两个量子比特相互作用。可调谐量子比特（如 split transmon）可以通过调频率实现这种相互作用，iSWAP 门是其中一种常用的。

**iSWAP 门的核心：共振交换激发**。当两个量子比特的频率调到一致（共振）时，它们会通过电容耦合交换激发。如量子比特 1 在 $|1\rangle$、量子比特 2 在 $|0\rangle$，共振后会变成量子比特 1 在 $|0\rangle$、量子比特 2 在 $|1\rangle$，同时会加一个 $i$ 的相位（所以叫 iSWAP）。

其中耦合强度 $g$ 决定交换时间（$g$ 越大，交换越快），典型值是 5–40 MHz，交换时间约 50–200 ns。

注意，调频率时会让量子比特离开磁通甜点（对磁通噪声不敏感的点），所以需要用虚拟 Z 门消除调频率带来的额外相位。

图 15 直观展示了 iSWAP 的操作过程：

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251003_153835.png" alt="局部截取_20251003_153835" style="zoom: 50%;" />

- 图 15a：两个可调谐量子比特的能谱（纵轴是频率，横轴是量子比特 1 的磁通）。黑色虚线是操作轨迹：先把量子比特 1 调到和量子比特 2 共振（$\Phi_{iSWAP}$ 处），让它们交换激发，再调回原来的频率。

操作过程：

1. 初始态：量子比特 1 在 $|1\rangle$、量子比特 2 在 $|0\rangle$（态 $|10\rangle$），频率分别为 $\omega_{q1}$、$\omega_{q2}$（不共振）；
2. 调磁通：改变量子比特 1 的磁通，使其频率接近 $\omega_{q2}$（共振点 $\Phi_{iSWAP}$）；
3. 交换激发：共振时两比特通过电容耦合交换能量，$|10\rangle\to|01\rangle$；
4. 恢复频率：调回磁通，两比特脱离共振，完成 iSWAP 操作。

- 图 15b：交换概率随时间和磁通的变化。在 $\Phi_{iSWAP}$ 处概率会周期性波动（右上角有个 $P_{01}$，代表 01 态的概率对应的颜色）。
- 图 15c：固定在 $\Phi_{iSWAP}$ 处，$|01\rangle$ 和 $|10\rangle$ 的概率随时间变化。每过 $\pi/(2g)$ 时间（$g$ 是耦合强度），概率会从 $|01\rangle$ 变成 $|10\rangle$，实现交换。

$$U_{iSWAP}=\begin{bmatrix}1&0&0&0\\0&0&-i&0\\0&-i&0&0\\0&0&0&1\end{bmatrix}$$

核心是交换 $|01\rangle$ 与 $|10\rangle$ 并加 $-i$ 相位；调频率过程中量子比特会积累额外相位 $\theta_z=\int(\omega_q-\omega(t))dt$，需通过 "虚拟 Z 门" 抵消，确保门操作纯净。两个 iSWAP + 若干单比特门可组合实现 CNOT 门，适合量子模拟，目前已用于生成 10 比特 GHZ 纠缠态。

#### CPHASE 门

CPHASE 门比 iSWAP 门更常用，因为它的保真度最高（≥0.994）、无需交换能量、能直接用于量子纠错。它利用量子比特的更高能级（比如 $|20\rangle$）实现条件相位。

**CPHASE 门的原理：绝热相位积累**

只有当两个量子比特都在 $|1\rangle$ 态（即 $|11\rangle$）时，才会通过和 $|20\rangle$ 的能级排斥获得 $\pi$ 相位；其他状态（$|00\rangle$、$|01\rangle$、$|10\rangle$）不受影响。

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图 16 的两图纵轴为频率，横轴为量子比特 1 的磁通 $\Phi_{ext}$。

- **图 16a**：包含更高能级（$|20\rangle$）的能谱。方框里是 $|11\rangle$ 和 $|20\rangle$ 的能级交叉，是 CPHASE 门的关键操作点（$\Phi_{CPHASE}$）。$|11\rangle$ 与 $|20\rangle$ 的能级因耦合产生排斥（间距变大），而 $|01\rangle$、$|10\rangle$ 与高能级无耦合，能级不变。
- **图 16b**：放大红色方框区域，展示 $|11\rangle$ 和 $|20\rangle$ 的能级排斥。通过缓慢移动量子比特 1 的磁通（绝热过程），让 $|11\rangle$ 态靠近 $|20\rangle$ 态但不激发到 $|20\rangle$，从而累积获得一个 $\pi$ 的相位，其他态无相位变化。

更高能级（$|20\rangle$）是辅助，不实际占用，只是通过能级排斥给 $|11\rangle$ 态加相位，避免了 iSWAP 门的频率调谐问题。

**过程**：

1. 准备量子态（$|11\rangle$、$|01\rangle$ 等）；
2. 绝热调整磁通至 $\Phi_{CPHASE}$，等待时间 $\tau$ 使 $|11\rangle$ 积累 $\pi$ 相位；
3. 调回磁通，用虚拟 Z 门抵消单比特额外相位；
4. 最终实现的门单位矩阵：$U_{CPHASE}=\begin{bmatrix}1&0&0&0\\0&1&0&0\\0&0&1&0\\0&0&0&-1\end{bmatrix}$，仅 $|11\rangle$ 态加 $-1$ 相位。

**优势**：

1. 保真度高：现在能达到 99.44% 以上，超过量子纠错表面码的容错阈值（99%），是大规模量子计算的核心门；
2. 可直接用于量子纠错：表面码量子纠错需要高保真的 CPHASE 门，目前已经用它实现了 5 比特 GHZ 态（一种多量子比特纠缠态）、5 比特重复码、模拟 Hubbard 模型。

#### CR 门

可调谐量子比特的门需要调磁通，会引入磁通噪声；而全微波门不用调频率，适合固定频率量子比特，更稳定。

**CR 门（交叉共振门）是固定频率量子比特的核心门（图 17），也是目前应用最广的微波门。**

**CR 门的原理**：通过交叉共振驱动——驱动一个量子比特的频率等于另一个的频率，让驱动信号同时影响两个量子比特，实现 "量子比特 1 的状态控制量子比特 2 的旋转"。实现的效果为：比如量子比特 1 为 $|1\rangle$ 时，量子比特 2 绕 X 轴转 $\pi$；量子比特 1 为 $|0\rangle$ 时，量子比特 2 不转。

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251003_155535.png" alt="局部截取_20251003_155535" style="zoom: 50%;" />

- 图 17a：两个固定频率量子比特 QB1 和 QB2，通过线性谐振器耦合（不调频率），驱动量子比特 1 的微波频率等于量子比特 2 的频率（$\omega_{q1}=\omega_{q2}$）。
- 图 17b：能级图，QB1 与 QB2 的能级因耦合产生能级分裂，驱动 QB1 的微波会通过耦合间接影响 QB2 的状态。
- 图 17c：量子比特 2 的概率随时间变化图。如果量子比特 1 在 $|0\rangle$，量子比特 2 做普通 Rabi 振荡；如果量子比特 1 在 $|1\rangle$，振荡频率会变。这是条件振荡，是 CR 门的纠缠源：
  - 上图（QB1 为 $|0\rangle$）：QB2 做普通 Rabi 振荡（频率 $\Omega_0$）；
  - 下图（QB1 为 $|1\rangle$）：QB2 的振荡频率变为 $\Omega_1$（$\Omega_1\ne\Omega_0$）。
- 图 17d：横轴为 "驱动时间"，纵轴为 "QB2 在 (z, y) 平面的角度差"。相位差随时间变化，约 200 ns 时相位差达到 $\pi$，实现 CR 门。$U_{CR_\pi}=e^{-i\frac{\pi}{2}\sigma_z\otimes\sigma_x}$。

**2. CR 门的改进与应用**

改进方案：

- **echo-CR**：加 $\pi$ 脉冲抵消 ac-Stark 移位（驱动导致的比特频率偏移），保真度提升至 0.93；
- **aceCR**（主动抵消 echo-CR）：加额外抵消脉冲，保真度提升至 0.991。

应用：固定频率比特的核心门；用于量子纠错（4 比特贝尔态错误检测）、量子机器学习（学习奇偶性问题）、分子能量计算（VQE 算法计算 H₂、LiH 能量）。

**3. 其他仅微波控制门**

bSWAP、MAP 和 RIP 其他微波门：

- **bSWAP 门**：利用 $|00\rangle$ 和 $|11\rangle$ 态的跃迁（通过更高能级辅助）直接产生纠缠，适合模拟自旋系统。
- **MAP 门**：让量子比特的更高能级（比如 $|12\rangle$ 和 $|03\rangle$）共振，通过微波驱动产生条件相位，缺点是需要精确匹配更高能级的频率。
- **RIP 门**：两个量子比特耦合到同一个共振腔，通过给腔加微波脉冲，让量子比特获得状态依赖的相位，适合频率差异大的量子比特。

#### CZ 门

CZ 门可以看李少炜博士的博士论文。他说他 19 年实现的非绝热 CZ 门保持着当时保真度最高的记录，相当牛。

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这里面的量子门还分什么绝热、不绝热、交叉共振啥的，而且还有什么 CZ、CNOT 之类的。**C 代表 controlled，受控的意思。**

- CNOT 是受控非门；CZ 是受控 Z 相位门。都有一个控制比特：CNOT 控制比特为 1 才翻转目标比特，不然不翻转；CZ 是要为 11 才给这个态加相位。所以带 C 字的都是双比特门，因为有控制和受控。

那绝热 CZ、非绝热 CZ、耦合器 CZ 又是什么呢？绝热/非绝热直接耦合，没有中间耦合器；耦合器 CZ 中间有一个中间耦合器来开关耦合。绝热/非绝热中，绝热是慢慢拉动比特频率，不会跳到 2 态；非绝热的话非常急，会短暂脱离本征态，但门快得多。

### 可调耦合的门

为了解决 "固定耦合太弱" 和 "可调谐量子比特噪声大" 的问题，又发展出了可调耦合技术：在两个量子比特之间加一个可调耦合器（flux-tunable SQUID），通过调耦合器的参数控制两个量子比特的相互作用强度。

两种方式：

1. **调耦合强度 $g$**：通过磁通改变耦合器的临界电流，让 $g$ 随时间变化；
2. **调耦合器的频率**：让耦合器的频率在两个量子比特频率之间切换，实现需要时耦合、不需要时断开。

**优势**：耦合的开关比高，能达到 1000 倍，减少闲置时的串扰；门保真度高，比如用可调耦合器实现的 iSWAP 门，保真度能达到 98.2%。

### 双比特门公式推导

CNOT 门和 CZ 门矩阵表达要知道一下。这李少炜博士论文中介绍了 **XX 耦合的 CNOT 和 ZZ 耦合的 CZ 门**。公式可以看李少炜博士论文的第二章的 2.5 小节。

两个比特之间如果有一个电容，就会有静电作用。数学表示就是交叉项 $(\hat{a}_i^\dagger + \hat{a}_i) \otimes (\hat{a}_j^\dagger + \hat{a}_j)$。

**产生和湮灭算符**

量子化的 LC 电路，电压就是用产生算符和湮灭算符表示的。产生算符和湮灭算符是狄拉克发明的，用来快速计算、简洁表示的算符。有 $+$ 的是产生算符，代表上台阶；$\hat{a}$ 是湮灭算符，代表下台阶。

$$\hat{a} = \sqrt{\frac{m\omega}{2\hbar}} \left( x + \frac{ip}{m\omega} \right)$$                           $$\hat{a}^\dagger = \sqrt{\frac{m\omega}{2\hbar}} \left( x - \frac{ip}{m\omega} \right)$$

就是对哈密顿量公式强行因式分解 $H = \frac{p^2}{2m} + \frac{1}{2}m\omega^2 x^2$ 得到的。把产生算符和湮灭算符相加一下，可以解出 $x = \sqrt{\frac{\hbar}{2m\omega}}(\hat{a}^\dagger + \hat{a})$。可以发现量子世界中位置是由 "上楼梯加下楼梯" 两个动作趋势共同组成的结果。

**对易关系**：$[\hat{a}, \hat{a}^\dagger] = 1$，也就是说 $\hat{a}\hat{a}^\dagger - \hat{a}^\dagger\hat{a} = 1$。"先上楼再下楼" 的结果，比 "先下楼再上楼" 刚好大 1。

$\sigma_x$ 对 3 层做截断，可以得到：

$$\hat{X}_3 = \begin{pmatrix} 0 & 1 & 0 \\ 1 & 0 & \sqrt{2} \\ 0 & \sqrt{2} & 0 \end{pmatrix}$$（看高楼层定系数）

**泡利算符**：泡利算符针对二能级系统设计。$x$ 叫翻转算符，定义动作是 0 到 1、1 到 0；$z$ 叫相位算符，给 1 态加一个 $\pi$ 相位，不改变 0、1 概率；$y$ 算符用得比较少，叫复数翻转算符，翻转的同时还顺手乘上了一个虚数单位 $i$（翻转还改变相位）。这三个算符有点像 XYZ 坐标系的 3 个基向量，可以表示任何操作。

$$\hat{\sigma}_x = \begin{pmatrix} 0 & 1 \\ 1 & 0 \end{pmatrix}, \quad \hat{\sigma}_y = \begin{pmatrix} 0 & -i \\ i & 0 \end{pmatrix}, \quad \hat{\sigma}_z = \begin{pmatrix} 1 & 0 \\ 0 & -1 \end{pmatrix}$$

$\hat{a}^\dagger + \hat{a}$ 这个东西的定义正好对应泡利算符 $\hat{\sigma}_x$。为什么呢，因为 $(\hat{a}^\dagger + \hat{a})|0\rangle = \hat{a}^\dagger|0\rangle + \hat{a}|0\rangle = |1\rangle + 0 = |1\rangle$；如果作用在 1 上，就是 $(\hat{a}^\dagger + \hat{a})|1\rangle = \hat{a}^\dagger|1\rangle + \hat{a}|1\rangle = 0 + |0\rangle = |0\rangle$，变成 0 和 $\sigma_x$ 效果一样。

**张量积**：就是为了在量子力学中把两个独立的东西联系起来，物理学家用 $\otimes$ 代替。算符的张量积 $\hat{A} \otimes \hat{B}$ 的含义是：**前面的算符 $\hat{A}$ 仅仅作用于 1 号比特，后面的算符 $\hat{B}$ 仅仅作用于 2 号比特，两者同时发生。**

**光子空间**：单光子空间就是 $|10\rangle$ 或 $|01\rangle$，只有一个光子；双光子空间指两个比特手里 **一共有 2 份能量**，比如 $|11\rangle$、$|02\rangle$、$|20\rangle$。

## 量子比特读出

**内容速览**：色散读出原理，Purcell 滤波器抑制自发辐射，约瑟夫森参量放大器（JPA）/ 行波参量放大器（TWPA）提升信噪比至量子极限。

量子比特的状态（$|0\rangle$ 或 $|1\rangle$）没法直接观测，需要通过专门的读出技术把量子状态转换成经典电信号。

### 色散读出

要读量子比特状态，最常用的方法是色散读出：让量子比特和一个读出谐振器（一个微波共振腔）耦合，量子比特的状态会改变谐振器的频率，我们通过测量谐振器的频率偏移，就能反推量子比特是 $|0\rangle$ 还是 $|1\rangle$。

**1. 为什么要用谐振器？**

量子比特太脆弱了，直接测量会让它的量子态消失、发生退相干。而谐振器是一个中间器件：量子比特先和谐振器通过电容/电感耦合，改变谐振器频率，再测量谐振器的频率，既能获取量子比特状态，又能减少对量子比特的直接干扰（量子非破坏测量，QND）。

**2. 读出实例**

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- **图 19a 实验装置示意图**（信号从产生到检测的全流程）：左边，室温下任意波形发生器（AWG）产生探测微波脉冲，通过线路送到低温区；中下，低温环境下探测脉冲先经过 Purcell 滤波器（保护量子比特），再送到芯片上的读出谐振器和量子比特（橙色）；右边，信号检测系统——谐振器反射的信号先经过参数放大器（放大微弱信号），再经过普通放大器（HEMT），最后通过外差混频把高频信号转成低频并数字化，变成电脑能处理的 I/Q 信号。这个装置的作用是产生探测信号、让信号和量子比特与谐振器作用，最后把反射信号放大并转换成可测量的经典信号。
- **图 19b 谐振器的频率偏移**：横轴是探测信号频率（$\omega_{RF}$），纵轴是反射信号的幅度（$|S_{11}|$）和相位（下边的虚线）。蓝色曲线：量子比特在 $|0\rangle$ 态时，谐振器的共振频率是 $\omega_r^{(0)}$，幅度最低处共振吸收最强；红色曲线：量子比特在 $|1\rangle$ 态时，谐振器的共振频率会偏移一个小量（$2\chi/2\pi$，$\chi$ 是色散移位，典型值 1–10 MHz），变成 $\omega_r^{(1)}$。我们把探测信号的频率设在 $\omega_r^{(0)}$ 和 $\omega_r^{(1)}$ 中间（图中虚线处），这时 $|0\rangle$ 和 $|1\rangle$ 态对应的反射相位差最大，最容易区分。
- **图 19c I-Q 平面的状态区分**：告诉我们最终怎么判断量子态。横轴是同相分量 I，纵轴是正交分量 Q。蓝色点是量子比特在 $|0\rangle$ 态时反射信号对应的 I/Q 值（因噪声略有扩散，形成高斯分布）；红色点是量子比特在 $|1\rangle$ 态时对应的 I/Q 值。为什么能区分？因为 $|0\rangle$ 和 $|1\rangle$ 态让谐振器频率偏移，导致反射信号的相位不同，反映在 I-Q 平面就是两个分开的点群。电脑只要看信号落在哪个点群，就知道量子比特是 $|0\rangle$ 还是 $|1\rangle$。

**3. 色散读出的细节**

- 为什么叫色散？因为量子比特的状态像光的色散现象一样，让谐振器的频率分开。
- 量子非破坏（QND）：只要探测信号的光子数不多，谐振器和量子比特之间不会交换能量，只会互相推频率，量子比特的状态不会被破坏，能重复测量。
- 如果探测信号太强、光子数太多，会导致 "ac-Stark 移位"，让量子比特退相干，所以要控制探测信号的强度。

### 谐振器的幅度和相位的测量

知道了通过谐振器频率反推量子态，下一步是怎么精确测量谐振器的幅度和相位。这需要用到的微波信号处理技术，核心技术是 I-Q 混频和外差解调。

#### I-Q 混频

I-Q 混频把微波信号拆成两个分量进行分析。

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两个关键信号进入混频器：

1. **RF 信号**：从谐振器反射回来的信号，包含量子比特状态信息，典型 5–10 GHz，频率 $\omega_{RO}$；
2. **LO 信号**：本地振荡器产生的参考信号（频率 $\omega_{LO}$，和 RF 的 $\omega_{RO}$ 频率接近，典型 10–100 MHz）。

混频器的操作：

1. 把 RF 信号分成两路（I 路和 Q 路）；
2. 把 LO 信号也分成两路：I 路 LO 保持原相位，Q 路 LO 加一个 $\pi/2$ 相位（如果原 LO 是余弦信号，就变成正弦信号了）；
3. 两路分别相乘：I 路 RF × I 路 LO，Q 路 RF × Q 路 LO；
4. 输出信号：相乘后会产生和频（$\omega_{RO}+\omega_{LO}$）和差频（$\omega_{RO}-\omega_{LO}$，叫中频 IF），再通过低通滤波器滤掉和频，只保留中频信号（$I_{IF}$ 和 $Q_{IF}$），这两个信号频率低，容易数字化；
5. 送入电脑：I 通道中频信号和 Q 通道中频信号（$I_{IF}$ 和 $Q_{IF}$）频率低，可直接用 ADC 采样。

把 RF 信号比作带着密码的高频电波，LO 信号比作解码钥匙。混频器用钥匙把高频密码解成低频密码（$I_{IF}$ 和 $Q_{IF}$），方便后续处理。

**具体过程为**：测试芯片一般会发一个高频微波（这个微波由两个低频信号（IQ）加高频微波源混频而成），衰减后送给量子芯片。传输线另一端会收到反射信号，下变频后用 AD 采集，然后在 FPGA 内部用下面公式得到 IQ 点（解模公式）：

$$I_{\text{probe}} = \sum_{i} \cos(\omega_{\text{sb}}t_i) \cdot W_{\text{probe}}(t_i)$$
$$Q_{\text{probe}} = \sum_{i} \sin(\omega_{\text{sb}}t_i) \cdot W_{\text{probe}}(t_i)$$

只有特定频率的会共振筛选，其他频率的正负求和消除掉。$I$ 值代表了 **原波形中到底含有多少 $\omega_{\text{sb}}$ 频率的成分**。

通过这个 IQ 平面，我们可以知道幅度 $A = \sqrt{I^2 + Q^2}$ 和相位 $\theta = \arctan(Q/I)$。

#### 外差解调

从低频信号中提取量子态。三步骤流程（a - 模拟解调，b - 数据采样，c - 数字处理）：

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- **图 22a 模拟解调（把高频 RF 转成中频 IF）**：流程和图 21 一致——RF 信号（来自低温箱）和 LO 信号混合，输出 $I_{IF}$ 和 $Q_{IF}$（中频，一般几百 MHz）。作用是把难以处理的高频微波信号（GHz 级别）转成低频信号，用普通 ADC（模拟-数字转换器）采样。
- **图 22b 数据采样（把模拟信号变成数字信号）**：横轴是时间，纵轴是信号幅度。曲线是 $I_{IF}$ 和 $Q_{IF}$ 的模拟信号（随时间振荡）；白色圆点是 ADC 的采样点。不是全程采样，要避开刚加脉冲时的振铃，等谐振器稳定后在一段时间窗口内采样。为什么要等稳定？刚加探测脉冲时谐振器的信号还在波动，没达到稳定共振状态，采样会有误差；等波动消失后采样，数据更准。
- **图 22c 数字信号处理（最终确定量子态）**：第一步，把采样得到的数字信号（$I_{IF}[n]$、$Q_{IF}[n]$）和数字参考信号（和 LO 同频率的余弦/正弦信号）相乘再平均，这一步会把中频信号转成 DC（直流）信号，得到一个 I 值和一个 Q 值；第二步，把多次测量的 I/Q 值画在 I-Q 平面，形成两个聚类（图 19c）；第三步，电脑用阈值区分聚类，就能判断每次测量的量子态。

#### 两种解调方式比较

外差 vs homodyne（零差），常用外差法（不深究了）。

| 解调方式      | 原理                        | 优势                                                         | 劣势                                                         | 应用场景                            |
| ------------- | --------------------------- | ------------------------------------------------------------ | ------------------------------------------------------------ | ----------------------------------- |
| 外差解调      | LO 与 RO 有中频差（IF > 0） | 1. 抗低频噪声（避免 1/f 噪声）；2. 支持频率复用（多比特用不同 IF，无干扰） | 电路复杂（需额外处理 IF 信号）                               | 多量子比特读出（如 10+ 比特处理器） |
| Homodyne 解调 | LO 与 RO 频率相同（IF = 0） | 电路简单（直接输出 DC 信号）                                 | 1. 易受低频噪声影响；2. 无法复用（多比特信号均为 DC，无法区分） | 单量子比特测试（如 qubit 校准）     |

外差解调：LO 频率和 RF 频率有一个小差值（中频 IF），适合同时读多个量子比特（每个量子比特对应不同的 IF，不会互相干扰）；Homodyne 解调：LO 频率和 RF 频率完全相同，输出是 DC 信号，但容易受低频噪声影响，且不能同时读多个量子比特。

### 弱测量 vs 强测量

量子读出很怕噪声。环境中的随机波动会让 I-Q 平面的点群扩散，如果扩散太厉害，$|0\rangle$ 和 $|1\rangle$ 的点会重叠，就没法区分状态了。

**1. 采样时间决定测量强度**

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251003_170615.png" alt="局部截取_20251003_170615" style="zoom: 50%;" />

- **图 23a 状态分离随时间的变化**：横轴是采样时间，纵轴是 I-Q 平面上 $|0\rangle$ 和 $|1\rangle$ 的距离（分离度）。实线：$|0\rangle$ 和 $|1\rangle$ 的分离度随时间 $T_S$ 线性增加，采样时间越长，积累的状态信息越多，分离越开；虚线：点群的扩散程度（噪声导致）随时间的平方根 $\sqrt{T_s}$ 增加，噪声是随机的，积累速度比信号慢。随着采样时间增加，分离度会超过扩散程度，测量准确度从弱变强。
- **图 23b 弱测量（采样时间短，SNR < 1）**：蓝色/红色曲线代表 $|0\rangle$ 和 $|1\rangle$ 的信号分布，几乎重叠，没法区分。为什么叫弱测量？因为采样时间太短，获取的状态信息太少，噪声掩盖了信号，信噪比 SNR < 1，只能知道量子态的部分信息（例如：可能是 $|0\rangle$，但不确定）。
- **图 23c 过渡状态（采样时间中等）**：$|0\rangle$ 和 $|1\rangle$ 的分布开始分开，但还有部分重叠，能大致判断状态，但偶尔会出错。
- **图 23d 强测量（采样时间足够长，SNR > 1）**：$|0\rangle$ 和 $|1\rangle$ 的分布完全分开，几乎没有重叠，能明确判断量子态，出错率很低。为什么叫强？采样时间足够长，信号超过噪声（SNR > 1），能获取量子态的完整信息，测量后量子态会坍缩到 $|0\rangle$ 或 $|1\rangle$，不会再是叠加态。

**2. 单次读出（Single-shot readout）**

定义：一次测量就能准确判断量子态，不用重复测，这是量子计算的基本要求（如果每次都要重复测，效率太低）。怎么实现？需要足够高的信噪比，SNR≥2（信号分离度至少是噪声扩散度的 2 倍）。这就需要后面讲的参数放大器（放大信号）和 Purcell 滤波器（减少噪声）。

**3. 噪声的来源**

- 量子噪声：微波光子的固有波动（量子力学允许的最小噪声 $\hbar\omega/2$）；
- 经典噪声：放大器的热噪声（HEMT 放大器约 2K 噪声温度）、线路的电磁干扰、制冷机振动等。

怎么量化噪声？用系统噪声温度量化。一般来说温度越低，噪声越少。公式为 $T_{sys}=T_{N1}+\frac{T_{N2}}{G1}+\frac{T_{N3}}{G1G2}+\dots$（$T_{N1}$ 为第一级放大器噪声温度，$G_1$ 为其增益）。第一级放大器的噪声起主导作用（参数放大器 $T_{sys}$ 接近量子极限，约 0.1 K）。

**4. 读出保真度计算**

- **分离误差 $\epsilon_{sep}$**：因噪声导致的误判概率，公式为 $\epsilon_{sep}=\frac{1}{2}erfc\left(\frac{SNR}{2}\right)$（erfc 为互补误差函数）；
- **总保真度 $F$**：需考虑量子比特退相干（读出时间 $\tau_{ro}$ 内 $|1\rangle$ 态可能弛豫到 $|0\rangle$），公式为 $F=1-\epsilon_{sep}-e^{-\tau_{ro}/T_1}$（$T_1$ 为量子比特能量弛豫时间）；
- **目标**：单次读出保真度需 ≥0.99，之后方便用纠错码。

## Purcell 滤波器

读出系统有个矛盾：读得越快，就得让谐振器的带宽宽一点，但带宽太宽会让量子比特更快退相干，这就是 Purcell 效应。打个比方：量子比特像一个装满水的杯子，谐振器像管子，管子越粗（带宽越宽），水漏得越快（量子比特能量丢得越快）。

### Purcell 效应

如果量子比特和环境之间有通路（例如量子比特和周围的 50Ω 传输线之间接了个谐振器），量子比特的能量会通过这个通路快速辐射到环境中，导致退相干（$T_1$ 时间变短）。

### Purcell 滤波器效果

从无保护到完美保护的示意图：

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251003_172902.png" alt="局部截取_20251003_172902" style="zoom: 50%;" />

- **图 24a 没有保护的情况**：量子比特（橙色圈）通过电容 $C_g$ 直接连到环境（蓝色 env，$Z_0=50\Omega$ 电阻）。量子比特的能量会通过 $C_g$ 直接辐射到环境，退相干快；同时读出信号也能传出去，但代价是量子比特不稳定。
- **图 24b 加了谐振器的情况**：在量子比特和环境之间加一个谐振器（红色 Res.）。谐振器在自己的频率（$\omega_r$）处阻抗低，信号能传出去；在量子比特的频率（$\omega_q$）处阻抗高，量子比特的能量不容易漏出去。但谐振器阻抗高的频率范围不够窄，还是会有部分能量泄漏。
- **图 24c 加了 Purcell 滤波器的情况**：在谐振器和环境之间再加一个 Purcell 滤波器（绿色）。滤波器在谐振器频率 $\omega_r$ 处阻抗低，读出信号能顺利传出去；在量子比特频率 $\omega_q$ 处阻抗极高，几乎完全阻断量子比特和环境的通路。既保证读出信号传得快（谐振器带宽宽大），又让量子比特的能量几乎不漏（退相干慢），解决了 "快" 和 "稳" 的矛盾。
- **图 24d 滤波器的传输谱**（解释为什么能阻断）：横轴是频率，纵轴是传输系数。绿色虚线是 Purcell 滤波器的传输谱：在 $\omega_r$ 处传输系数高，信号能过；在 $\omega_q$ 处传输系数几乎为 0，信号过不去，量子比特能量也漏不出去。滤波器的通带刚好对准谐振器的频率，阻带对准量子比特的频率。

### Purcell 滤波器的常见设计

四分之一波长短截线、低 Q 带通滤波器、阶梯阻抗滤波器。

| 设计类型           | 原理                                                       | 优势                                           | 劣势                           | 应用场景                         |
| ------------------ | ---------------------------------------------------------- | ---------------------------------------------- | ------------------------------ | -------------------------------- |
| 四分之一波长短截线 | 利用微波在传输线中的反射，形成特定频率的阻带               | 结构简单，易集成                               | 阻带窄，仅适配单个量子比特频率 | 单量子比特实验                   |
| 低 Q 带通滤波器    | Q 值低（带宽宽），通带覆盖谐振器频率，阻带覆盖量子比特频率 | 可同时保护多个量子比特（阻带宽），兼作量子总线 | 插入损耗稍高（约 0.5 dB）      | 多量子比特处理器（如表面码架构） |
| 阶梯阻抗滤波器     | 交替改变传输线的阻抗（高/低），形成周期性阻带              | 阻带多，可适配多个量子比特频率                 | 设计复杂，对工艺精度要求高     | 大规模量子处理器（100+ 比特）    |

## 参数放大器

读出信号非常弱，只有几个微波光子，直接测量会被噪声掩盖，我们需要用放大器把信号放大。但普通放大器会加很多噪声，而参数放大器 PA 能实现量子极限放大，只加最少的噪声。图 25（相位不敏感放大）、图 26（相位敏感放大）、图 27（JPA）和图 28（TWPA）讲清了放大器的原理和类型。

**1. 为什么不能无噪声放大？**

量子力学限制：任何放大器放大信号时，至少要加半个光子的噪声（$\hbar\omega/2$ per bandwidth），这是海森堡不确定性原理的要求。普通放大器（比如 HEMT）会加很多噪声（大致在 10–20 个光子），信噪比反而下降；参数放大器加的噪声接近半个光子，能有效提升信噪比，适合量子读出。它通过非线性元件（约瑟夫森结）和泵浦信号（提供能量）实现放大，能有效提升信噪比（从 SNR = 0.5 升至 SNR = 3）。

**2. 相位不敏感放大**

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251004_162456.png" alt="局部截取_20251004_162456" style="zoom: 50%;" />

- 图 25a：输入信号是 I-Q 平面上的一个红色的点，周围有噪声，用红色圆圈表示；
- 图 25b：放大过程。通过 pump 信号（黑色，提供能量，所以输出会变小）和非线性元件（约瑟夫森结），把输入信号的 I 和 Q 分量同时放大，放大倍数 $\sqrt{G}$；
- 图 25c：输出信号。I 和 Q 都变大（右上平移了），噪声也会放大（红晕扩大，而且多了一个 vac.noise），但信号放大的比例比噪声高，信噪比提升。

特点：对 I 和 Q 的放大一样，不影响相位，但加的噪声稍多，接近 1 个光子，适合通用读出。

**3. 相位敏感放大**（仅放大特定相位的信号）

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251004_163520.png" alt="局部截取_20251004_163520" style="zoom:50%;" />

- 图 26a：放大时只放大 I 分量、抑制 Q 分量，或反之，噪声会在一个方向被抑制，信号变扁；
- 图 26b：放大倍数随 pump 相位周期性变化。通过调整 pump 的相位，能选择放大哪个分量。

特点：加的噪声更少，接近半个光子，但需要精确控制泵浦相位，且只能放大一个分量，不适合通用读出。

### 约瑟夫森参数放大器（JPA）

JPA 示意图如图 27：

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251004_163959.png" alt="局部截取_20251004_163959" style="zoom:50%;" />

- 图 27a 电路结构：一个谐振器（蓝色 resonator），里面加一个 SQUID（由两个约瑟夫森结构成，橙色，提供非线性）；
- 图 27b、c 两种 pump 方式：
  1. 电流泵浦（4 波混合）：pump 频率 ≈ 谐振器频率，$\omega_p\approx\omega_r$，适合单量子比特，通过调制结电流实现放大；
  2. 磁通泵浦（3 波混合）：pump 频率 ≈2× 谐振器频率，$\omega_p\approx 2\omega_r$，噪声更少，通过调制 SQUID 的磁通实现放大。

**JPA 应用分析**

- 性能指标：增益 15–25 dB，噪声温度 0.1–0.5 K，带宽 10–50 MHz；
- 优势：噪声极低，适合单量子比特高精度读出；
- 劣势：带宽窄，一次仅能放大一个量子比特的信号，多比特需多个 JPA，成本高。

### 行波参数放大器（TWPA）

<img src="./2.超导量子原理.assets/局部截取_20251004_201902.png" alt="局部截取_20251004_201902" style="zoom:50%;" />

- 图 28a 电路核心：无谐振器，由数百个单元组成（每个单元含约瑟夫森结和电容），形成 "超导传输线"；
- 图 28b 信号传输：输入信号沿传输线传播，每个单元通过泵浦信号（蓝色）提供能量，逐步放大信号；
- 图 28c 带宽优势：TWPA 的带宽宽（200–500 MHz），可同时放大多个量子比特的信号（可 10 个比特共用一个 TWPA）；
- 图 28d 相位匹配：通过共振相位匹配（RPM）结构，周期性添加小谐振器，使泵浦信号与输入信号传播速度一致，放大均匀。

**TWPA 应用分析**

- 性能指标：增益 20–30 dB，噪声温度 0.5–1 K，带宽 200–500 MHz；
- 优势：带宽宽，适合多量子比特读出（大规模处理器的首选）；
- 劣势：噪声比 JPA 稍高，但可通过主动抵消技术优化至 0.3 K。

### 放大器的级联设计

实际读出系统中，放大器需级联使用，以平衡噪声和增益。系统总噪声由第一级放大器决定（公式 $T_{sys}=T_{N1}+T_{N2}/G1+\dots$），因此第一级必须用低噪声的参数放大器。

- **第一级**：参数放大器（JPA/TWPA，低温 10–20 mK 区）——噪声最低，负责初步放大信号（提升至可检测水平）；
- **第二级**：HEMT 放大器（4K 区）——增益高（30 dB），负责进一步放大信号；
- **第三级**：室温放大器——增益中等（20 dB），将信号放大至数字化仪可采样水平。

## 量子纠错

在经典计算机里面，0，1状态储存传输都非常可靠，SRAM,

量子比特都有误差：逻辑门保真度 99% 意味着每 100 个门就有 1 个错；量子比特相干时间只有 100 微秒，操作慢了状态就丢了。而量子纠错就是用多个物理比特保护 1 个逻辑比特，解决这些问题。所以要容错计算，是因为量子比特很容易出错。具体原因：① 叠加态 $T_1$ 和 $T_2$ 短；② 用波形调控，给的波形不可能完美；③ 读出的时候不可能 100% 准。错误还会积累：1 次没问题，几百次门操作就会出问题。

**1. 量子纠错的意义**：用多个物理比特的冗余信息，纠正单个比特的错误。

**2. 纠错码（表面码）**

优点：

1. **容错阈值高**：只要物理门的保真度超过 99%，就能通过纠错让逻辑门的保真度接近 100%（前面第四章讲的 CPHASE 门已经达到 99.4%，就可以用纠错提高保真率）；
2. **只要近邻耦合**：量子比特排列成 2D 网格，每个比特只和旁边的比特作用，适合平面芯片的制造。

用多个物理量子比特编码成 1 个逻辑比特：物理量子比特可能会出错，但逻辑量子比特几乎不会出错。物理量子比特就是实实在在的底层超导量子比特，逻辑量子比特就是要通过量子纠错码构建出的不会出错的虚拟比特。

容错计算底层不能用多次重复测来实现：① 不能完美复制一个未知的量子态；② 直接去测量每个物理量子比特的状态，状态就被破坏了，计算就中断。

## 量子计算优越性

量子计算优越性，也叫 "量子霸权"，指量子计算机能解决经典计算机在合理时间内无法解决的问题。这是证明量子计算价值的关键里程碑，文档里重点讲了进展和目标。

<img src="./2.超导量子原理.assets/image-20260810140635738.png" alt="image-20260810140635738" style="zoom: 25%;" />

**1. 优越性的体现**：不是分解大数（Shor 算法），而是随机量子电路采样。实验机理是让量子比特执行一系列随机的逻辑门，然后测量输出状态的概率分布。经典计算机要模拟这个分布，需要的时间会随量子比特数指数增长——可能 50 个量子比特，经典计算机就需要几万年。这个问题不需要实用价值，只需要 "经典模拟难"，就足够用来证明量子计算的速度优势。

**2. 当前进展**：2018 年实验用了 9 个可调谐 transmon 量子比特（也就是第四章讲的 split transmon），实现了随机电路采样。虽然量子比特数少，但证明了思路可行。未来的目标是：预计用 50–100 个高保真量子比特（门保真度 > 99.5%，相干时间 > 100 微秒），就能实现经典计算机无法模拟的采样任务。目前谷歌、IBM、中科院和咱中科大等都在朝这个目标推进。

**3. 里程碑的意义**：这个里程碑为什么重要？因为可以证明量子计算的独特价值。如果能实现优越性，就说明量子计算机不是经典计算机的升级版，而是能做经典计算机做不到的事；为了实现优越性，需要解决量子比特的保真度、相干时间、大规模控制等一系列问题，会带动整个超导量子技术的进步。

## 量子指标

- **保真度**：想要的状态和实际状态重合，保真度就为 100%，就是 qubit 的制备精度。
- **退相干时间**：就是维持量子叠加态的时间，有 $T_1$ 和 $T_2$。$T_1$ 为能量弛豫时间，从 1 态衰变到 0 态、丢失能量的时间；$T_2$ 为相位相干时间，丢失相位信息的时间。一般 $T_2$ 会小于 $2T_1$。

总结：保真度是制备精度；退相干时间是比特持久时间。