34 lines
2.6 KiB
Markdown
34 lines
2.6 KiB
Markdown
|
RO通道通过产生32位的码字来控制读出行为，32位的操控码字功能定义如下表所示。
|
|||
|
|
码字比特[3:0]用于选择要实时从存储中加载的解模和态判断参数，总共支持16组参数进行快速切换；
|
|||
|
|
解模包络参数和频率参数也可以通过码字比特[11:10]来选择寄存器控制还是查找表控制。
|
|||
|
|
寄存器控制可以实时修改解模产生，而查找表控制可以支持参数快速切换。
|
|||
|
|
码字比特[5:4]用于对解模数据进行统计操作，通过实时统计可降低芯片外传数据量；
|
|||
|
|
码字比特[7:6]用于将读出比特数据通过并行和串行接口发出，用于支持系统局部和全局反馈功能；
|
|||
|
|
码字比特[9:8]用于对统计数据进行清零；
|
|||
|
|
码字比特[15:11]用于使能要存储几种数据模式，四种数据仅能在部分条件下支持同时存储，
|
|||
|
|
同时存储多种数据时，死时间会增加，推荐实验过程中一次指令仅能使能一种数据；
|
|||
|
|
码字比特 [31:16]用于使能对对每个比特的控制，读出芯片最大支持16个量子比特。
|
|||
|
|
|
|||
|
|
|比特位|名字|功能描述|
|
|||
|
|
|:-|:-|:-|
|
|||
|
|
|[31:16]|QUBIT_EN| 16个量子比特使能，高电平使能对应位量子比特|
|
|||
|
|
|[15]|COUNT_SAVE_EN| 态计数据存储使能, 高电平使能态计数存储|
|
|||
|
|
|[14]|STATE_SAVE_EN| 态数据存储使能, 高电平使能态数据存储|
|
|||
|
|
|[13]|IQ_SAVE_EN| 解模数据存储使能, 高电平使能解模数据存储|
|
|||
|
|
|[12]|WAVE_SAVE_EN| 波形数据存储使能, 高电平使能波形数据存储|
|
|||
|
|
|[11]|MTF_IDX_SEL| 匹配滤波器索引选择，1：寄存器，0：查找表|
|
|||
|
|
|[10]|DDS_FPW_SEL| 解模频率相位控制字选择, 1：寄存器，0：查找表|
|
|||
|
|
|[9]|STATE_CLR_VAL| 态统计清零有效, 高电平清零计数|
|
|||
|
|
|[8]|DEMOD_CLR_VAL| 解模求和清零有效, 高电平清零求和值|
|
|||
|
|
|[7]|GLB_FB_VAL| 全局反馈触发有效, 高电平使能全局反馈|
|
|||
|
|
|[6]|LOC_FB_VAL| 局部反馈命令有效, 高电平使能局部反馈|
|
|||
|
|
|[5]|STATE_STS_VAL| 态统计命令有效, 高电平使能态计数功能|
|
|||
|
|
|[4]|DEMOD_SUM_VAL| 解模求和命令有效, 高电平使能解模求和功能|
|
|||
|
|
|[3:0]|PARA_ID| 读出参数查找表索引, 总共支持最大16组参数|
|
|||
|
|
|
|||
|
|
当同一个码字指令驱动的多个量子比特解模长度不同时，
|
|||
|
|
解模时间等于最长那个比特的解模时间。
|
|||
|
|
解模在当同时使能四种数据存储时，
|
|||
|
|
存储的先后顺序为波形数据、解模IQ数据、态判断数据和计数数据。
|
|||
|
|
当同时使能解模清零和求和操作时，先执行清零再执行求和。
|
|||
|
|
当同时使能态统计和态清零时，先执行态清零再执行态统计。
|